华科智源专业研发生产半导体测试设备，提供itc57300mos管igbt功率器件动态参数测试仪，大功率igbt到小功率管mos的测试， 包括动态参数和静态参数测试，雪崩能量测试以及热阻测试， 索取相关资料和报价请联系陈先生 13008867918
itc57300是美国itc公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备，采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构，可以满足n沟道、p沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求，且具有波形实时显示分析功能，是目前具领先水平的完备可靠的动态参数测试设备。
itc57300动态参数测试系统主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（igbt），功率mosfet，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，trr /的qrr和其他瞬态测试。
itc57300能力测试电压：最大1200 vdc 200（短路电流可达1000a）定时测量：最低为1 ns漏电流限制监视器-  mosfet开关时间测试， max vdd =1.2kv,0.1v steps 
-  mosfet,diodes qrr/trr反向恢复时间测试，max vdd=1.2kv, 0.1v steps
-  qrr range：1nc~100uc，trr range：10ns~2us
-  mosfet栅电荷qg测试，max vdd =1.2kv,0.1v steps 
-  igbt感性开关时间测试，max vdd =1.2kv,0.1v steps，inductors range：0.1mh~159.9mh
-  igbt短路耐量测试，max isc=1000a
测试标准： 
- mil-std-750 seriesitc57300mos管igbt功率器件动态参数测试仪选项额外的电源供应器额外的测试头大包装适配器itc57300mos管igbt功率器件动态参数测试仪测试头itc57210 - n-通道和p-通道功率mosfet，mil-std-750方法3472开关时间itc57220 - trr /电源，mosfet和二极管的qrr，mil-std-750方法，3473itc57230 - 栅极电荷功率mosfet，mil-std-750方法3471itc57240 - 电感式开关时间为igbt，mil-std 750方法3477itc57250 - （isc）短路耐受时间，mil-std-750方法3479itc57300mos管igbt功率器件动态参数测试仪系统特点很容易改变的测试头在不同参数的自动化测试坚固耐用的pc兼容计算机用户友好的菜单驱动软件可编程测试出纸槽电子表格兼容的测试数据可选内部电感负载gpib可编程测试设备四通道高带宽数字示波器脉冲发生器1200v电源itc57300mos管igbt功率器件动态参数测试仪安全特性测试头高电压互锁接收端的高电压互锁高速漏极供电开关itc57210 开关时间测试头
此测试头以美军标 mil-std-750, method 3472，验证功率器件mosfets,p沟道和n沟道的开关时间。所测量的参数包括 ：time delay on [td(on)],risetime(tr),time delay off [td(off)],fall time(tf)
itc57220 trr/qrr测试头
itc57220测试头以美军标mil-std-750, method 3473，进行反向恢复trr/qrr测试。
首先，驱动电路中的电感电流上升，电流升到所设定的值时，电源会被切开。电感内的的电流会通过被测器件中的二极管排放。经过一段短时间后，驱动器再次启动，致使器件中的二极管经历反向恢复动作。由此所捕捉到的波形经过分析后便能取得反向恢复时间，电流和累积电荷等数据。
itc57230 栅电荷测试头
itc57230对功率器件mosfets的栅电荷能力以美军标mil-std-750, method 3471进行考验。 
先给mosfet管的栅极加电压，在栅极打开时，把一个恒电流，高阻抗的负载接到mosfte管的漏极。
当漏极电流攀爬到用户设定的数值时，被测器件的栅电荷可通过向漏极导通可编程恒流源放电（或p沟道器件，向源极导通）。通过监视栅电压和波形下各部分的面积便可计算出电荷量。
itc57240 感性负载开关时间测试头
itc57240测试头以美军标mil-std-750, method 3477的定义，实行感性负载开关时间测试。
igbt驱动器会在电感圈内产生测试电流。当断开时，电流会通过寄生(齐纳)二极管。在这瞬间，打开和关闭dut器件开始对开关时间和开关能量进行测试。当它开关时，dut器件能观察到流入电感圈里的测试电流和横跨齐纳二极管的电压，而不受续流二极管所产生的任何反向恢复因素所影响。
itc57250 短路耐量测试头
itc57250以美军标mil-std-750, method 3479的定义，实行短路耐抗时间测试。
在某些电路，如马达驱动电路，半导体器件须有能力抗衡并顶住短时间的短路状况。此测试就是用于验证器件在短路情况下所能承受的耐抗时间。器件内的电流是取决于器件的放大值(gain)和所使用的驱动脉宽。
itc57260 结电容/栅极等效电阻测试头 rg, ciss, coss & crss
此测试头应用频率扫描和固定电感圈，找出所形成的rlc电路的共振点然后进行对功率器件mosfet的栅极电阻测量。它同时也测量器件的输入电容(ciss),输出电容(coss)和反向电容(crss).
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