银川mp50200d可调直流电源公司-安耐斯价格特别优惠去下载一个就是的。也有翻过tiucc2897289x以及3580等文档以及applicationnotes，但波形等基本上都没有，多是理论上的东西，分享这些目的还是以实践为主的我现在电源方面主要推广销售stviper53dip(针对这玩意所有波形都可以随时测的)，ickpower以及以前涉及的ac-dc全桥等电源波形都没有记录的，所以也不能分享给大家，也算是遗憾这里只是开个头，希望大家能分享和补充5同步整流mosfet的选择自驱动同步整流较简单，主要为mosfet的选择，主要指标及原则：5.1mosfet的g-s的***耐压，主要根据输入电压***值，***值及占空比来确定，可由以下方式求得：此式可确定sw4的g-s电压。
同事问我，为什么跪在地上看楼主的帖子。回复||26kyokyo离线lv8副总工程师积分：3083|主题：52|帖子：1843访问空间发消息积分:3083lv8副总工程师:23哎..瞧你这点出息！回复||27小日小日离线lv3助理工程师积分：278|主题：5|帖子：66访问空间发消息积分:278lv3助理工程师:56我也跪下了回复||35leoliangleoliang离线lv7版主积分：4498|主题：56|帖子：1407访问空间发消息积分:4498版主:21已确认过效率***可以达到94.5以上，wt210，wt1800，wt310都用过。待机功耗小于50mw.今天收到板刚测了一下。
银川mp50200d可调直流电源公司-安耐斯价格特别优惠多谢。回复||12dxb0571dxb0571离线lv6高级工程师积分：1621|主题：73|帖子：405访问空间发消息积分:1621lv6高级工程师:49不知道楼主是否测试过在不同负载情况下的thd？回复||25gggiqplgggiqpl离线lv6高级工程师积分：555|主题：5|帖子：193访问空间发消息积分:555lv6高级工程师:11应该是小于5%的，我这里没有失真仪回复||32slslsl651slslsl651离线lv6高级工程师积分：1948|主题：27|帖子：627访问空间发消息积分:1948lv6高级工程师:55可怜的，跟我老板一样离谱，让人做逆变器连个失真度测量仪器都舍不得买。
回复||36rj44444rj44444离线lv8副总工程师积分：3328|主题：17|帖子：779访问空间发消息积分:3328lv8副总工程师:44效率确实是反复确认过的，三个不同平台。回复||37释迦雨果cn释迦雨果cn离线lv6高级工程师积分：1638|主题：5|帖子：471访问空间发消息积分:1638lv6高级工程师:37效率确实需要用钱和水平堆出来的。回复||38wanghaitingwanghaiting离线lv8副总工程师积分：4745|主题：29|帖子：1175访问空间发消息积分:4745lv8副总工程师:11靠，三莹的电解啊，东西用的不错啊回复||40rj44444rj44444离线lv8副总工程师积分：3328|主题：17|帖子：779访问空间发消息积分:3328lv8副总工程师:49黑金刚电容回复||39lswhomelswhome离线lv6高级工程师积分：564|主题：13|帖子：107访问空间发消息积分:564lv6高级工程师:29然而原理图参数根本就看不清回复||58lqf537503lqf537503离线lv6高级工程师积分：1318|主题：11|帖子：301访问空间发消息积分:1318lv6高级工程师:3560w做到这个效率。
银川mp50200d可调直流电源公司-安耐斯价格特别优惠机械电子一体化呀，牛x，小弟对你的佩服犹如滔滔江水连绵不绝呀回复||40lizlklizlk离线lv7版主积分：3189|主题：12|帖子：847访问空间发消息积分:3189版主:47不错，支持一下！回复||399cctvhucctvhu离线lv2本网技师积分：102|主题：0|帖子：1访问空间发消息积分:102lv2本网技师:28不错，支持一下！回复||35tzx1976tzx1976离线lv6高级工程师积分：415|主题：6|帖子：99访问空间发消息积分:415lv6高级工程师:35楼主真是多面手啊回复||47lzloonglzloong离线lv6高级工程师积分：430|主题：24|帖子：57访问空间发消息积分:430lv6高级工程师:58请问下高手。
能来个清晰点么！谢谢先回复||65jxjx离线lv4初级工程师积分：311|主题：5|帖子：79访问空间发消息积分:311lv4初级工程师:36请教楼主一个问题！看您提到加快mos关断速度！指的就是q3是么？如果是的话，那跟平时的驱动电阻反并联二极管相比，速度是如何快的呢？是直接对地泻放栅极电荷么？回复||66rj44444rj44444离线lv8副总工程师积分：3328|主题：17|帖子：779访问空间发消息积分:3328lv8副总工程师:58针对驱动ic驱动能力不是很强的情况，这种接法理论上比反并二极管要好，相当于关断时驱动电流有一个beta的放大系数。如果ic驱动能力足够，这种方法和反并二极管应该是差不多的。
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能来个清晰点么！谢谢先回复||65jxjx离线lv4初级工程师积分：311|主题：5|帖子：79访问空间发消息积分:311lv4初级工程师:36请教楼主一个问题！看您提到加快mos关断速度！指的就是q3是么？如果是的话，那跟平时的驱动电阻反并联二极管相比，速度是如何快的呢？是直接对地泻放栅极电荷么？回复||66rj44444rj44444离线lv8副总工程师积分：3328|主题：17|帖子：779访问空间发消息积分:3328lv8副总工程师:58针对驱动ic驱动能力不是很强的情况，这种接法理论上比反并二极管要好，相当于关断时驱动电流有一个beta的放大系数。如果ic驱动能力足够，这种方法和反并二极管应该是差不多的。

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