led芯片是半导体发光器件led的核心部件，led放光的原理主要在于led芯的p-n结。一般来说，半导体晶片是由两部分组成。一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就就形成了一个p-n结（led电视）。
当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向p区，在p区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，而光的波长也就是光的颜色，是由形成p-n结的材料决定的（led显示器）。
一、led防爆灯芯片的特点：
1、四元芯片，采用movpe工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。
2、信赖性优良。
3、应用广泛。
4、安全性高。
5、寿命长。
二、led防爆灯芯片的重要参数：
1.led芯片正向工作电流if：
它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择if在0.6·ifm以下。
2.正向工作电压vf：
参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在if=20ma时测得的。发光二极体正向工作电压vf在1.4～3v。在外界温度升高时，vf将下降。
3.led芯片v-i特性：
发光二极体的电压与电流的关系，在正向电压正小于某一值(叫阈值)时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。
4.发光强度iv：
发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)w/sr时，则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般led的发光二极管强度小，所以发光强度常用烛光(坎德拉,mcd)作单位。
5.led的发光角度：
-90°-+90°
6.led芯片光谱半宽度δλ:
它表示发光管的光谱纯度。
7.半值角θ1/2和视角：
θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。
8.全形：
根据led发光立体角换算出的角度，也叫平面角。
9.视角：
指led发光的最大角度，根据视角不同，应用也不同，也叫光强角。
10.半形：
法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说，是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。led的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值，引入偏差角，指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。
11.led芯片最大正向直流电流ifm：
允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。
12.最大反向电压vrm：
所允许加的最大反向电压即击穿电压。超过此值，发光二极体可能被击穿损坏。
13.led芯片工作环境topm:
发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极体将不能正常工作，效率大大降低。
14.允许功耗pm:
允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，led发热、损坏。
(来源：湖北朔越防爆科技有限公司)

---