产品描述(tpcp8510  8510)
集电极-基极反向击穿电压v(br)cbocollector-base voltage(vcbo) 180v
集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceocollector-emitter voltage(vceo) 120v
集电极连续输出电流iccollector current(ic) 1a
截止频率fttranstion frequency(ft)  
直流电流增益hfedc current gain(hfe) 60~300
管压降vce（sat）collector-emitter saturation voltage 0.14v
耗散功率pcpower dissipation 1.1v
description & applications * toshiba transistor silicon npn epitaxial type. * high-speed,high-voltage switching applications * dc-dc converter applications* high dc current gain: hfe = 120 to 300 (ic = 0.1 a) * lowcollector-emitter saturation: vce (sat) = 0.14 v (max) * high-speedswitching: t f = 0.2 μs (typ)
描述与应用 *东芝晶体管npn硅外延型。 *高速，高电压开关应用 * dc-dc转换器应用 *高直流电流增益：hfe=120??300（ic=0.1 a） *低集电极 - 发射极饱和：vce（sat）= 0.14 v（最大值） *高速开关：tf=0.2微秒（典型值）

---

深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
马先生
18126206203
中航路都会轩1917