对于变频器一拖多的情况，为保护每个电机以及变频器的设备安全，原则上必须在电机主回路安装热过载继电器。对于热过载继电器的选型，遵循一般选型原则即可——电机的额定电流在热过载继电器的整定范围以内。在一台变频器驱动n台电机的情况下，如果线路过长，可能存在比较大的分布电容，造成较大的高频电流而导致变频器过流、漏电流增加、电流显示精度变低等。如果线路过长，需要采用输出滤波器。以下以富士变频器为例来进行说明。3.7kw以下电机连线不得超过50米，3.7kw以上电机连线不得超过100米。驱动多台电机时，应按多个电动机配线总长来计算。设置或改变变频器的运行频率，选择何种设置方法由变频器的功能参数值决定。1)和输出最高电压对应的频率。
2）输出电压等于额定电压时的最小输出频率。绝大多数情况下，基本频率都等于电动机的额定频率。曲线。②最高频率fmax：变频器允许输出的最高频率。对应最大给定信号的输出频率，大多数情况下最高频率fmax等于基本把频率fb。电动机在一定的场合应用时，其转速应该在一定范围内，超出此范围会造成或损失。上限频率fh：允许变频器输出的最高频率。下限频率fl：允许变频器输出的最低频率。变频器驱动的电动机采用低频起动，为了保证电动机正常起动而又不过流，变频器须设定加速时间。电动机减速时间与其拖动的负载有关，有些负载对减速时间有严格要求（举例）。igbt（insulatedgatebipolartransistor）。
绝缘栅双极型晶体管，是由bjt（双极型三极管）和mos（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个n沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，n区称为源区，附于其上的电极称为源极。n区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。
在漏、源之间的p型区（包括p和p一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（subchannelregion）。而在漏区另一侧的p区称为漏注入区（draininjector），它是igbt特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成pnp双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。
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