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也是每只管子的交流输入端。（3）为充分提-此模块的输出功率，应采用平衡电抗器。电抗器的参数应根据负载-小自行确定。根据负载性质及额定电流按模块--输出电流it值，（1）阻性负载：模块--电流应为负载额定电流的2倍。（2）感性负载：模块--电流应为负载额定电流的3倍。（3）若负载电流变动较-，电流倍数适当增加。（4）保证整个运行过程中，负载实际工作电流不能超过模块标称的--输出电流。（1）工作环境温度范围-25℃～+45℃。（2）工作场所要求干燥、通风、无尘、无腐蚀性气体。散热条件的好坏，直接影响模块的可靠和安全。不同型号模块在其额定电流工作状态下，二极管，（英语：diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置。
只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（varicapdiode）则用来当作电子式的可调电容器。-部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（rectifying）”功能。二极管-普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个pn结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。
当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体（"cat'swhisker"crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（thermionicvalves）”)。现今-普遍的二极管-多是使用半导体材料如硅或锗。外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服pn结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压-于死区电压以后，pn结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增-而迅速上升。在正常使用的电流范围内。
导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5v，锗管约为0.1v。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8v，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3v。外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很-。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在na数量级，小功率锗管在μa数量级。温度升-时。
半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增-，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过-。二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用。
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