品牌HOMSEMI | 型号HS630DA |
种类绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型N沟道 |
导电方式增强型 | 用途DC/直流 |
封装外形SMD(SO)/表面封装 | 材料N-FET硅N沟道 |
是否跨境货源否 | 货号17+ |
批号17+ | 封装TO252 |
深圳市硕实科技有限公司原装供应hs630da 9a200v mosfet 封装to252如有需要可致电联系0755-83040406
n沟道增强型硅栅电源mosfet是为高压、高速功率而设计的。开关应用,如开关稳压器,开关转换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动器
主要参数:
id---------9.0a
vdss------200v
rdson-max (@vgs=10v)----0.4ω
qg-typ-----22nc
产品特性 :
1>低栅极电荷
2>低 crss (典型值 22pf)
3>开关速度快
4>产品全部经过雪崩测试
5>高抗 dv/dt 能力
6>rohs 产品
应用:
1》 高频开关电源
2》电子镇流器
3》ups 电源
4》电机驱动器
5》继电器驱动器
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林先生
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