品牌HOMSEMI	型号HS8N60DA
种类绝缘栅(MOSFET)	沟道类型N沟道
导电方式增强型	用途DC/直流
封装外形SMD(SO)/表面封装	材料N-FET硅N沟道
是否跨境货源否	货号17+
批号17+	封装TO252

深圳市硕实科技有限公司原装供应 hs8n60da/fa  8a 600v mosfet封装形式to252,to220f如有需要可致电联系0755-83040406
hs8n60是一种高电压大电流电源。mosfet，设计具有更好的特性，如快速开关时间，低栅极电荷，低导通电阻，并具有一个高崎岖雪崩特性。这种功率mosfet是通常用于高速开关电源的应用供应，pwm电机控制，高效率的dc到直流转换器桥式电路.
特征:
1>rds（on）＜1.2π@ vgs＝10 v
2>超低栅电荷（典型28 nc）
3>低反向转移电容（crss＝典型的12 pf）
4>快速切换能力
5>雪崩能量指定
6>提高dv/dt能力，高耐用性
应用：
1》高速开关电源的应用供应
2》pwm电机控制
3》高效率的dc到直流转换器桥式电
4》led照明电源ac高压输入
5》电源适配器

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