| 品牌HOMSEMI | 型号HS50N03 |
| 种类绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型N沟道 |
| 导电方式增强型 | 用途DC/直流 |
| 封装外形SMD(SO)/表面封装 | 材料N-FET硅N沟道 |
| 是否跨境货源否 | 货号17+ |
| 批号17+ | 封装TO252 |
深圳市硕实科技原装供应homsemi 50a，30v n-沟道功率mosfet:hs50n03
特征:
1>rds（on）14 m? @ vgs = 10 v, id = 30 a
2> low电容
3>优化栅极电荷
4>快速切换能力
5>雪崩能量指定
额定值（tj = 25°c，除非另有规定）
参数符号评分单位
漏源电压vdss 30 v
栅源电压20 v±vgss
连续漏电流id 50 a
脉冲漏极电流（注2）idm 180
单脉冲雪崩能量（注3）eas 45 mj
功率耗散50 w
结温150°c
存储温度容许55 ~ + 150°c
应用：
1》步进马达驱动器
2》led照明电源
3》直流无刷水泵
深圳市硕实科技有限公司
林先生
15815509278
广东 深圳 福田区 深圳市福田区华富路南光大厦311室