品牌HOMSEMI	型号HS5N10
种类绝缘栅(MOSFET)	沟道类型N沟道
导电方式增强型	用途DC/直流
封装外形SMD(SO)/表面封装	材料N-FET硅N沟道
是否跨境货源否	货号17+
批号17+	封装SOT23

深圳市硕实科技原装供应homsemi 1.5a，100v n沟道  逻辑水平的提高  型场效应  晶体管:hs5n10
描述:
hs5n10是一个n沟道mosfet，它使用homsemi先进技术为客户提供高开关速度和低门电荷。
特性：
1》高开关速度
2》低栅极电荷
3》rds(on)<290 m? @ vgs=10v, id=0.75a
     rds(on)<300 m? @ vgs=4.5v, id=0.7a
额定值（ta = 25°c，除非另外指出）:
漏源电压vdss 100 v
栅源电压20 v±vgss
连续ta＝25°c 1.5 a
（注1）ta＝70°c
id漏电流1.2 a
脉冲（注2）idm 5
单脉冲雪崩能量（注4）eas 8 mj
ta＝25°c 1.25瓦功率耗散（注1）ta＝70°c
pd 0.8 w
结温tj—55～+150°c
存储温度范围容许55 ~ + 150°c

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林先生
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