产品描述(mmbta92lt1  2d)
集电极-基极反向击穿电压v(br)cbocollector-base voltage(vcbo) -300v
集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceocollector-emitter voltage(vceo) −300v
集电极连续输出电流iccollector current(ic) −500ma/-0.5a
截止频率fttranstion frequency(ft) 50mhz
直流电流增益hfedc current gain(hfe) 40
管压降vce（sat）collector-emitter saturationvoltage −500mv/-0.5v
耗散功率pcpower dissipation 300mw/0.3w
description & applications high voltage transistors pnp silicon features • these devices arepb−free, halogen free/bfr free and are rohs compliant
描述与应用 高电压晶体管pnp硅 特点 •这些器件是无铅，无卤/ 无bfr，并符合rohs标准

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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
马先生
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中航路都会轩1917