sentech反射仪-rm 2000 sentech rm 2000反射仪能够在uv-vis-nir光谱范围对单层膜、多层膜和基底材料进行高精度反射光谱测量。可对吸收或透明基底上的透明或弱吸收薄膜分析薄膜厚度和折射率.
 
特性：  l 高精度测量反射光谱, 非接触、正入射测量
l 宽光谱范围， 200nm-930nm  （uv-vis-nir） 
l 可测量反射率r, 薄膜厚度， 折射率
l ftp expert分析软件，用于测量薄膜光学常数。
l 测量半导体膜的材料组分（例如： algan on gan)
l 分析外延生长多层膜
 
选项： l 深紫外扩展 (200 nm)
l 近红外扩展 (1700 nm)
l x-y 地貌图扫描样品台和扫描软件
l 摄像头选项，用于观测样品表面
l 电脑  
技术指标： 光谱范围:
200 nm … 930 nm（ 可拓展至1700 nm）
测量时间:
300 ms
光斑直径:
80 µm (可定制更小直径)
反射率精度:
优于0.005
厚度范围:
5 nm - 50 µm
厚度精度:
优于1 nm  (对si上的400 nm sio2) ，
优于1%   （厚度大于1000 nm)
厚度准确度:
0.3 nm (对si上的400 nm sio2)
折射率精度:
优于0.01
软件:
sentech先进的反射测量分析软件ftp expert, recipe导向操作，可测量、拟合光谱数据，显示、输出结果，强大的模型编辑器和材料数据库。
操作系统:
windows xp
 sentech 光谱椭偏仪-senresearch
senresearch是一款高性能、研发用宽波段光谱椭偏仪，主要应用是针对研发领域的薄膜、材料分析。
 
仪器介绍： senresearch宽波段光谱椭偏仪系列（光谱范围190 nm –2500 nm），针对、满足现代研究的需求，为任何应用都能够提供出色的测量速度和精确度。
 
该系列光谱椭偏仪能够测量薄膜厚度，折射率，吸收系数，并能够描述材料性质，如材料组分、折射率梯度、表面和界面粗糙层、各向异性材料和多层膜。
    senresearch光谱椭偏仪能够分析并不理想的样品，如退偏效应，非均匀样品，散射和背板反射。
senresearch由spectraray ii软件操作,  完善的软件能够测量数据，建模，拟合并作出椭偏测量、反射/透射测量的结果报告。
 
 
 
步进扫描分析器工作模式，超消色差单色仪，电脑控制起偏器，uv-vis波段快速二极管/ccd阵列探测器和nir波段干涉仪调制探测器能提供快速测量和高信噪比，并为任何测量在全部psi, delta范围（0-90 deg (psi) and 0 – 360 deg (delta).）都提供*的测量精度。
senresearch系列光谱椭偏仪能够测量反射光偏振状态，修正由于非均匀样品、粗糙表面、聚焦角度所导致的退偏效应。并能够分析各向异性样品和材料。
 
    sentech先进的地貌图扫描选项，支持对复杂多层膜样品在全波段快速测量并分析其均匀性（最小每点5秒）。数据可按照设定的地图图案表现为2d-, 3d-或等高线图，并能够进行全面统计分析。
 
 
可选自动角度计，提供更大范围入射角度(20-90 deg)。
可选低温保持器用于温度控制测量。
技术指标： 光谱范围: (* 括号中表示可扩展光谱范围)
se 800:
(290) 350 – 850 nm
se 850:
(290) 350 – 1700 (2500) nm
se 800 duv
190 – 950 nm
se 850 duv
190 – 1700 (2500) nm
se 850 z
(290) 350 – 1700 nm
起偏器/分析器:
电机驱动，步进扫描分析器操作模式
补偿器:
超级消色差补偿器
光源:
xe 灯, 氘灯, 卤素钨灯 (uv-vis), 卤素钨灯(nir)
探测单元:
二极管阵列 / ccd 阵列(uv-vis), ft-ir光谱仪 (nir)
样品校准:
自动对准镜，高精度校准高度、倾斜度
样品尺寸:
*300 mm
软件:
spectraray ii
 
可选项： 角度计:
电机驱动
mapping地貌图扫描:
电机驱动，从50 x 50 mm2 至300 x 300 mm2
微细光斑:
200 µm 光斑直径，或可定制更小值
低温保持器
4 k – 700 k
液体膜测量单元
 
 

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