- 品牌：其他
- 型号：ST36N10D TO-252
- 种类：绝缘栅(MOSFET)
- 沟道类型：N沟道
- 导电方式：增强型
- 用途：S/开关
- 封装外形：SMD(SO)/表面封装
- 材料：N-FET硅N沟道
描述
stn36n10d使用沟槽技术，提供优良的rds（on）和栅极电荷。
这些设备是适合作为负载开关或在应用程序使用。
特征
100v / 20.0a，rds（上）= 40mω（典型值
@ vgs = 10v
100v / 20.0a，rds（上）= 42mω
@ vgs = 4.5v
超高密度电池设计
极低的rds（on）
特殊的阻力和
最大直流电流能力
252，to-251包装设计
司坦森集成电路（深圳）有限公司
林小姐
15986616804
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