性能特点采用cstbttm硅片技术饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小比同等级其他沟槽型igbt电流输出能力高10%，在相同输出电流时δt(j-f)低15%成本优化的封装内置导热性能优异的氮化铝(aln)绝缘基层，热阻小模块内部寄生电感小功率循环能力显著改善。
应用领域适合中、低端变频器产品设计
封装尺寸  
igbt模块（a系列）
电路拓扑 vces ic(a)
75 100 150 200 300 400 600
2单元 1200   cm100dy-24a(45kb) cm150dy-24a(45kb) cm200dy-24a(45kb) cm300dy-24a(45kb) cm400dy-24a(48kb) cm600dy-24a(49kb)
1700 cm75dy-34a(110kb) cm100dy-34a(101kb) cm150dy-34a(121kb) cm200dy-34a(102kb) cm300dy-34a(100kb) cm400dy-34a(126kb)  
1单元 1200v             cm600ha-24a(117kb)
          cm400ha-24a(118kb) cm600hb-24a
cm300dy-24a图片                                                                                   外形图纸和电路图
三菱igbt模块cm300dy-24a是先进的第五代功率模块,工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即dc/ac变换中.例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。
特征:      采用最新的cstbt硅片技术 低饱和压降vce(sat)；低开通损耗eon；低关断损耗eoff高短路承受力（不需要rtc）降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型igbt采用aln绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型igbt具有更低的热阻比欧洲的沟槽型igbt具有更低的成本结构按iec747-15标准定义温度和热阻      目标: 低成本设计，适合中、低端变频器产品设计。

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