天高微科技供应双沟道mos.me4542代替ao4606,ao4616原装me4542现货me4542兼容me4542代替me4542配套me4542-pdf描述：me4542可代用ao4616.ao4606
me4542是n加p沟道增强型功率逻辑场效应晶体管.利用高密度，dmos沟道技术。这种高密度的过程，特别是针对减少通态电阻。这些器件特别适合低电压应用于：如手机和笔记本电脑的电源管理和其他电池损耗.
●rds（on）≦2500mω“vgs =10v（n沟道）
●rds(on)≦40mω@vgs=4.5v(n沟道)
●rds（on）≦4000 mω“vgs =4.5v（n沟道）
●rds(on)≦35mω@vgs=-10v(p-ch)
●rds（on）≦3500 mω“vgs = -10v（p沟道）
●rds(on)≦58mω@vgs=-4.5v(p-ch)
●rds（on）≦5800 mω“vgs =4.5v时（p沟道）
● super high density celldesign for extremely low rds(on)
●超高密度设计的非常低的rds（on）
应用
●电源管理
●直流/直流转换器
●液晶电视和显示器逆变器
●ccfl逆变器
●lcd显示器
、移动电源
mos管 高压mos  低压mos  n沟道mos  p沟道mos  低功耗mos  升压内置/外置mos  双p沟道mos   低压差mos   esd保护mos  n沟道增强型 mos   dmos   igbt  肖特基  二三极管  场效应管
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