广州mos管供应商报价公道合理！source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称mos管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。
晶体管有n型channel所有它称为n-channel mos管，或nmos。p-channel mos（pmos）管也存在，是一个由轻掺杂的n型backgate和p型source和drain组成的pmos管。如果这个晶体管的gate相对于backgate正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果gate相对于backgate反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此pmos管的阈值电压是负值。由于nmos管的阈值电压是正的，pmos的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，“pmos vt从0.6v上升到0.7v”， 实际上pmos的vt是从-0.6v下降到-0.7v。
主要参数
1.开启电压vt
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的n沟道mos管，vt约为3～6v；
·通过工艺上的改进，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流输入电阻rgs
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·mos管的rgs可以很容易地超过1010ω。

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