- 品牌：
- 类型：存储器
- 型号：R1RW0416DGE-2SR
- 封装：SOJ(44)
- 提供加工定制：是
- 处理器速度：具体参考规格书
- 功率：具体参考规格书
- 存储容量：4Mb
- 批号：18+
- 电源电流：具体参考规格书
- 电源电压：3.0 to 3.6
- 频率：具体参考规格书
- 驱动芯片类型：具体参考规格书
- 针脚数：具体参考规格书
- 用途：手机
renesas一级代理 r1rw0416dge-2sr
存储器分为两大类，一种称为静态ram(static ram/sram)，sram芯片读取速度非常快，是目前读写最快的存储芯片，价格也相对比较贵，一般在对存储条件比较苛刻的产品上使用，譬如cpu的一级缓冲，二级缓冲，或者工控智能的产品。另一种称为动态ram(dynamic ram/dram)，dram保留数据的时间很短，读取速度也比sram芯片慢，不过它还是比任何的rom都要快，但从价格上来说dram相比sram要便宜很多，计算机内存条就是dram的。
part number
density
organization(bit)
access time(ns)
supply voltage(v)
operating temperature (°c)
packagetype
r1rw0416dsb-2sr
4mb
x 16
12
3.0 to 3.6
0°c to 70°c
tsopii(44)
r1rw0416dsb-2pr
4mb
x 16
12
3.0 to 3.6
0°c to 70°c
tsopii(44)
r1rw0416dsb-2pi
4mb
x 16
12
3.0 to 3.6
-40°c to 85°c
tsopii(44)
r1rw0416dsb-2lr
4mb
x 16
12
3.0 to 3.6
0 °cto 70°c
tsopii(44)
r1rw0416dsb-0pr
4mb
x 16
10
3.0 to 3.6
0 °cto 70°c
tsopii(44)
r1rw0416dsb-0pi
4mb
x 16
10
3.0 to 3.6
-40°c to 85°c
tsopii(44)
r1rw0416dge-2sr
4mb
x 16
12
3.0 to 3.6
0°c to 70°c
soj(44)
r1rw0416dge-2pr
4mb
x 16
12
3.0 to 3.6
0°c to 70°c
soj(44)
r1rw0416dge-2pi
4mb
x 16
12
3.0 to 3.6
-40°c to 85°c
soj(44)
r1rw0416dge-2lr
4mb
x 16
12
3.0 to 3.6
0 °cto 70°c
soj(44)
r1rw0408dge-2pr
4mb
x 8
12
3.0 to 3.6
0 °cto 70°c
soj(36)
r1rw0408dge-2pi
4mb
x 8
12
3.0 to 3.6
-40°c to 85°c
soj(36)
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13751192923
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