vi-j3h-cy，vi-27w-ix
功率模块 电源模块 可控硅/igbt模块
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上海瑞天自动化设备有限公司
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vi-j0x-ez vi-j0x-ix vi-j0x-iy vi-j0x-iz vi-j0y-cx vi-j0y-cy vi-j0y-cz 上述计算方法都是基于线性关系和一定的假设条件下得到的igbt和二极管平均损耗,这是iposim计算损耗的基本思路和仿真依据。vi-21w-ev vi-21w-ew vi-21w-ex vi-21w-ey vi-21w-ez vi-21w-iu vi-21w-ivvi-jty-ex vi-jty-ey vi-jty-ez vi-jty-iw vi-jty-ix vi-jty-iy vi-jty-iz 使用中的注意事项vi-24f-cz vi-24f-eu vi-24f-ev vi-24f-ev vi-24f-ew vi-24f-ex vi-24f-eyvi-22t-ey vi-22t-ez vi-22t-iu vi-22t-iv vi-22t-iw vi-22t-ix vi-22t-iyvi-j7z-iy vi-j7z-iz vi-jn0-06 vi-jn0-cw vi-jn0-cx vi-jn0-cx/f3 vi-jn0-cyvi-26m-iw vi-26m-ix vi-26m-iy vi-26m-iz vi-26n-cu vi-26n-cv vi-26n-cwvi-j5f-cx vi-j5f-cy vi-j5f-cz vi-j5f-ew vi-j5f-ex vi-j5f-ey vi-j5f-ez 2.1 直流母线电压vi-j0l-cx vi-j0l-cy vi-j0l-cz vi-j0l-ex vi-j0l-ey vi-j0l-ez vi-j0l-ix 国外研发igbt器件的公司主要有英飞凌、abb、三菱、西门康、日立、富士、toshiba、ixys和apt公司等，其igbt技术成熟，已实现了大规模商品化生产，igbt产品电压规格涵盖600v-6500v，电流规格涵盖2a-3600a，形成了完善的igbt产品系列。其中，西门康、仙童 （fairchild）等企业在1700v及以下电压等级的消费级igbt领域处于优势地位;abb、英飞凌、三菱电机在1700v-6500v电压等级的工业级igbt领域占绝对优势，3300v以上电压等级的高压igbt技术更是被英飞凌、abb、三菱三家公司所垄断，它们代表着国际igbt技术最高水平。vi-bwv-ev vi-bwv-ew vi-bwv-iu vi-bwv-iv vi-bwv-iw vi-bww-cu vi-bww-cv ● 控制规模:16~384(包括cc-link i/o)点。vi-20n-iz vi-20p-cx vi-20p-cy vi-20p-cz vi-20p-ex vi-20p-ey vi-20p-ezapt2x30d40j apt2x30d60j apt2x30dq120j apt2x30dq60j apt2x31s20j apt2x60d100j apt2x60d120jvi-2wy-iw vi-2wy-ix vi-2wy-iy vi-2wy-iz vi-2wz-cu vi-2wz-cv vi-2wz-cwvi-2tn-ey vi-2tn-ez vi-2tn-iu vi-2tn-iv vi-2tn-iw vi-2tn-ix vi-2tn-iyd66es6 d66es7 d66ev5 d66ev7 d66gv5 d66gv6 d66gv7vi-j7v-cy vi-j7v-cz vi-j7v-ew vi-j7v-ex vi-j7v-ey vi-j7v-ez vi-j7v-iw 目前，中压变频方案有两种，一种是通过中压元器件直接变频;另一种是通过升降压变压器间接变频。直接变频根据所用器件不同又分为gto变频器和igbt变频器，前者优点是变频器输出容量大，可满足一般大功率负荷的需要，缺点是gto器件价格高、开关慢、损耗大，庞大的缓冲电路和门极驱动电路大约占系统体积一半左右，难以推广使用。后者ig—bt有诸多优点，但本身工作电压低，导通电流小，用于中等电压等级下需要多器件串并联，可靠性差，间接变频优点是可使用通用低压变频器变频;缺点：一是需要2台变压器，增加了装置成本，二是经过降压、整流、储能、逆变、升压5次能量转换，效率较低。而采用igct器件组成变频器直接变频，其逆变器电路非常简单，见图2所示。一个三相igct逆变器可由11个元器件组成，其中6个igct(带集成反向二极管)，1个电抗器，1个箝位二极管，1个箝位电容器，1个电阻器和1套门极驱动电源，外型尺寸小、元器件小、可靠性高、成本低。可见，用igct设计的逆变器，比同等容量的igbt和gto逆变器元器件数量要减少约1/2，系统节能约1/3，这对于我国煤矿这类耗能大户来说，具有十分重要的社会经济效益。就业前景编辑igbt ipm gtr 可控硅 场效应 整流 传感器 固态 变压器 续电器等功率模块 vi pi lm dc-dc ac-dc 电源模块 1993年，德国eupec公司(欧洲电力电子公司)推出3.2kv/1.3ka的igbt模块，但它是用多个igbt芯片串联加并联组成的。只能说是高压化发展的一种尝试。人们曾以为igbt耐压不会突破2kv，是由于1.2kv以下的igbt都是用高阻外延硅片制成的，电压要达到1.5kv，外延层厚度就要超过180μm，几乎是不能实用化的。fw250f1 fw250h1 fw250r1 fw300a1 fw300b1 fw300b1 fw300c1 (1)fwd(freewheelingdiode)技术skr100/08 skr100/12 skr100/16 skr130/02 skr130/02 skr130/04 skr130/04mdr150a30m mdr150a40l mdr150a40l/m mdr150a40m mdr250a20l mdr250a20l/m mdr250a20mqic0212003 qic0610001 qic0620001 qic0620003 qic1208001 qid0630006 qid0645011 (5)p系列中，尤其是1400v模块比pt-igbt有更大的安全工作区，反偏安全工作区(rbsoa)和短路安全工作区(scsoa)都为矩形。其rbsoa可达额定电流的两倍，scsoa可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大地简化，同时，短路承受能力也大大进步。mg150h2yl3 mg150j1bs11 mg150j1js50 mg150j1zs50 mg150j2ys2 mg150j2ys21 mg150j2ys40sg400u11 sg400u22 sg400w11 sg400w22 sg400z1h sg500fxf22 sg500gxh22随着通用变频器、电梯、不间断电源（ups）、风力和太阳能发电以及伺服驱动器等工业设备的发展，设备对igbt的长寿命低功耗和高可靠性的要求越来越高。① 结构灵活ksb23020 ksb23030 ksc23010 ksf22005 ksf2405 ksf24505 ksg31203sw15phr300 sw15phr400 sw15phr470 sw16cxc11c sw16cxc14c sw16cxc16c sw16cxc320ddb6u100n14r ddb6u100n14rr ddb6u100n16 ddb6u100n16r ddb6u100n16rr ddb6u100n18 ddb6u104n12vi-b6k-ew vi-b6k-iu vi-b6k-iv vi-b6k-iw vi-b6l-cu vi-b6l-cv vi-b6l-cw 1996年，日本东芝公司推出了2.5kv/1ka的igbt，具有同大功率晶闸管、gto管相同的平板压接式封装结构。它突破了外延片的制约，采用(110)晶面的高阻单晶硅片制造，硅片厚度超过300μm，有了足够的机械强度。vi-27k-cy vi-27k-cz vi-27k-eu vi-27k-ev vi-27k-ew vi-27k-ex vi-27k-eypchmb100a6a pchmb100b12 pchmb100b12a pchmb150a6 pchmb150a6a pchmb150b12 pchmb150b12avi-261-iv vi-261-iw vi-261-ix vi-261-iy vi-261-iz vi-262-cu vi-262-cvhfa200md40c hfa200md40d hfa210nj60c hfa210nj60d hfa240nj40c hfa240nj40d hfa280nj60cvi-j0f-iz vi-j0h-cx vi-j0h-cy vi-j0h-cz vi-j0h-ex vi-j0h-ey vi-j0h-ezvi-jw0-cy vi-jw0-cz vi-jw0-ew vi-jw0-ex vi-jw0-ey vi-jw0-ez vi-jw0-iwvi-250-iz vi-250-mx vi-251-cu vi-251-cv vi-251-cw vi-251-cx vi-251-cyvi-j33-ix vi-j33-iy vi-j33-iz vi-j34-cw vi-j34-cx vi-j34-cy vi-j34-czvi-b53-iv vi-b53-iw vi-b54-cu vi-b54-cv vi-b54-cw vi-b54-eu vi-b54-ev 由于控制极的宽度(lh)已达到最佳化设计，故集电—射极之间的饱和电压vce(sat)可降低0.5v，使开关损耗降低。vi-250-24 vi-250-24 vi-250-24 vi-250-cu vi-250-cv vi-250-cw vi-250-cw/f22mbi400nk-060 2mbi400nr-060 2mbi400sk-060 2mbi400tb-060 2mbi400tc-060 2mbi400u2b-060 2mbi400u4h-120bsm35gp120 bsm35gp120g bsm400ga120dlc bsm400ga120dlcs bsm400ga120dle bsm400ga120dn2 bsm400ga120dn2s(五)三菱plc程序设计90mt100k 90mt100kb 90mt120k 90mt120kb 90mt160k 90mt160kb 90mt80k 2.2p系列npt—igbt模块的特点6mbi50f-060 6mbi50f-120 6mbi50fa-060 6mbi50j-120 6mbi50l-060 6mbi50l-120 6mbi50s-120vi-20y-cy vi-20y-cz vi-20y-ex vi-20y-ey vi-20y-ez vi-20y-ix vi-20y-iyqm30dy-h qm30e2y-2h qm30e2y-h qm30e3y-2h qm30e3y-h qm30ha-h qm30ha-h三菱电机的“hvigbt”模块自1997年实现产品化以来，以其优异的性能和高可靠性获得好评，被广泛应用于铁路车辆牵引系统、直流输电设备以及大型工业设备等的逆变器。vi-btt-cu vi-btt-cv vi-btt-cw vi-btt-eu vi-btt-ev vi-btt-ew vi-btt-iuvi-22z-ez vi-22z-iu vi-22z-iv vi-22z-iw vi-22z-ix vi-22z-iy vi-22z-iz在开关工作的条件下，fgbt的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据igbt规格的电压等级，选择1 200v电压等级的igbt。vi-22n-ew vi-22n-ex vi-22n-ey vi-22n-ez vi-22n-iu vi-22n-iv vi-22n-iw (9)保护阀值要设置好。vi-j1d-ex，vi-jww-ey，vi-j7m-ey，vi-bnh-iv
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