- 品牌:士兰微
- 型号:SVF1N60
- 种类:
- 沟道类型:N
- 导电方式:增强型
- 用途:
- 封装外形:方块状
- 材料:金属半导体
功率场效应管
型号:svf1n60am/mj/b/d/f/h
一、描述
功率场效应管提供的svf1n60am/mj/b/d/f/h n沟道增强型高压功率mos场效应晶体管采用士兰微电子的 f-celltm平面高压vdmos工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该功率场效应管可广泛应用于ac-dc 开关电源,dc-dc 电源转换器,高压h桥pwm马达驱动。
二、特点
∗ 1a,600v,rds(on)(典型值)=6.8Ω@vgs=10v
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt能力
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