1．对于高于标称电源的电压来说，ic阻抗较低。
　　iesd=vesd／zzhbm=1.5kω
　　2．在机器模式下，电流受特征阻抗(约50ω)的限制。
　　zmm=v／i=l／c0
　　低阻能量损耗：
　　e=1／2c0×v2和e=1／2l×i2
　　3．如果esd电流主要流入电源去耦电容，施加到ic的电压由固定电荷量决定：
4．能够在瞬间导致ic损坏的能量相当于微焦级，有外部去耦电容时，这一考虑非常重要：
　　e=1／2c1×v12
　　5．耗散功率会产生一定热量，假设能量经过一段较长的时间释放掉，随之降低热量。
　　p=e／t
　　esd能量传递到低阻时可以考虑其电流(点1和2)；对于高阻而言，能量以电压形式传递，为ic的去耦电容充电(3)。对ic造成损坏的典型能量是在不到一个毫秒的时间内将微焦级能量释放到ic(4和5)。

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