6mbi75u4b-120-50
包装 盒装10只/盒
技术参数规格 6组75a 1200v
6mbi75u4b-120-50备注说明 进口全新环保正品
产地 日本
生产厂家 fuji
年份 1310+
6mbi75u4b-120-50电流 75a 电压 1200v
6mbi75u4b-120-50生产厂家订货信息公司：深圳市安特凌科技有限公司
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igbt模块所致传导干扰的应对措施 为了降低传导干扰频谱高频带内的峰值，应： [1] 降低igbt开关的电压变化率。 [2] 增加谐振回路的阻抗，以降低谐振电流。  
但是，这些措施仍然具有如下缺点： 
 [1] 当降低电压变化率时，将增加igbt损耗。 
 [2] 仅增加/降低l和c参数时会使谐振频率变化，而且很难降低峰值。从物理结构上来说，也不可能消除寄生电感l和电容c。  
(3)-1  通过调整门极电阻降低传导干扰 
图10-19为使用7mbr75u4b120 的pds（带输入滤波器）的传导干扰频谱。从该图可以看出，当门极电阻为标准值的2倍或3倍时，传导干扰10mhz频率附近的峰值降低约5 dbμv。
igbt开关的emi （尤其是不低于10mhz的高频传导干扰和辐射干扰的峰值）是由于igbt内部和周围电路中的寄生电感l和电容c之间的谐振所产生。无论是从理论上来说，还是从实际结构上来说，这些寄生元件的谐振均不能降为零。因此，应准确地找出谐振回路，并采取适当的应对措施。  
基于噪声的产生机理，通过引入噪声与损耗平衡的最新芯片设计技术，并采用最优化的封装设计，使得igbt模块的特性得到了重大改进。富士电机u4系列igbt模块即为改进后的新型模块。

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林薇
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