- 品牌：FUJI
- 型号：7MBI75SA-120
- 应用范围：
- 整流元件：
- 功率特性：
- 频率特性：
- 交流输入电压：
- 直流输出电压：
- 直流输出电流：
- 正向峰值电压：
- 反向重复峰值电压：
- 反向重复峰值电流：
- 绝缘电压：
- 工作结温：
- 效率：220V
7mbi75sa-120富士igbt模块供应n系列现货igbt的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给pnp(原来为npn)晶体管提供基极电流，使igbt导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使igbt关断。igbt的驱动方法和mosfet基本相同，只需控制输入极n-沟道mosfet，所以具有高输入阻抗特性。当mosfet的沟道形成后，从p+基极注入到n-层的空穴（少子），对n-层进行电导调制，减小n-层的电阻，使igbt在高电压时，也具有低的通态电压。
型号 vces
volts ictc=25occont.amps. pc@watts vcesatictj=25ocmax.(v) 封装 技术资料
2mbi150u2a-060 600 150 600 1.8 富士igbt模块 富士代理igbt模块
2mbi200u2a-060 600 200 780 1.8 富士igbt模块 富士代理igbt模块
2mbi300u2b-060 600 300 1,100 1.8 富士igbt模块 富士代理igbt模块
2mbi400u2b-060 600 400 1,500 1.8 富士igbt模块 富士代理igbt模块
2mbi600u2e-060 600 600 2,500 1.9 富士igbt模块 富士代理igbt模块
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