氮化硅极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液，也能耐很多有机酸的腐蚀；同时又是一种高性能电绝缘材料。
氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，它包括混料、压制、冷等静压、烧结以及后加工的步骤，陶瓷原料以重量百分比计，包括如下组分：si3n4：80-90％，y2o3：6-14％，α相al2o3：1-5％，wc：1-5％，tic：1-5％。该制备方法步骤简单、方便易行，制备工艺稳定，生产效率高，利用该方法制备的结构件陶瓷的硬度大、强度高，并且具有较高的耐高温性能、耐高电压冲击性能以及耐弯曲性能，可广泛用于材料要求高的领域。
气压烧结法（gps)
近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10mpa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进si3n4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视.气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近最终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。
氮化硅陶瓷 结构件、块、抛光片、衬板、垫板、摩擦片
氮化硅具有硬度高、膨胀系数低、耐高温、无磁等特性，可以承受较大的热冲击，因此广泛用于各种焊接场合，用于产品的、夹持、导轨、导轮以及炉体测温保护管、喷嘴等零部件。
医疗器械、光学仪器、印刷机械、高速机床、高速电机、低温工程、食品加工机械、高温焊接

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