品牌HOMSEMI	型号HS4N65DA/FA/IB/DB
种类绝缘栅(MOSFET)	沟道类型N沟道
导电方式增强型	用途DC/直流
封装外形SMD(SO)/表面封装	材料N-FET硅N沟道
是否跨境货源否	货号17+
批号17+	封装TO252/TO220

深圳市硕实科技有限公司原装供应mosfet   hs4n65da/fa/ib/db替代std4nk65封装形式to252,to251,to220f,如有需要可致电联系:0755-83040406
hs4n65是一种高压功率mosfet。设计具有更好的特性，如快速开关时间，低栅极电荷，低导通电阻具有高度崎岖的雪崩特性。这种力量
mosfet通常用于高速开关应用中。包括电源，pwm电机控制，高效率dc-dc转换器和桥式电路。
主要参数：
id-------4.0a
vdss----650v
rdson_max （vgs=10v）----2.6ω
qg-typ-----15nc
特征:
1》（rds）2.5?@＜vgs = 10 v，s = 2a
2》快速切换的能力
3》能源specified雪崩
4》改进的dv／dt能力，高耐用性
5》低栅极电荷
6》低 crss (典型值 12pf)
7》开关速度快
8》产品全部经过雪崩测试 
应用：
1》高频开关电源
2》pwm电机控制
3》高效率dc-dc转换器和桥式电路
4》 电子镇流器
5》led照明电源
6》电源适配器 pc电源

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