直插整流二极管详细描述：
      整流二极管
　　rectifier diode
　　一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个pn结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。p区的载流子是空穴,n区的载流子是电子，在p区和n区间形成一定的位垒。外加使p区相对n区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7v）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
　　选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
3a普通整流二极管1n5400-8系列参数：
型号 正向电流if（a） 正向电压vf（v） 反向电压vr（v） 反向漏电流ir（ua) 反向恢复时间trr 封装形式
1n5400 3.0 1.0 50 3 50 do-27
1n5401 3.0 1.0 100 3 50 do-27
1n5402 3.0 1.0 200 3 50 do-27
1n5404 3.0 1.0 400 3 50 do-27
1n5405 3.0 1.0 500 3 75 do-27
1n5406 3.0 1.0 600 3 75 do-27
1n5407 3.0 1.0 800 3 75 do-27
1n5408 3.0 1.0 1000 3 75 do-27
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