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STD11NM50N TO-252 场效应MOS管 绝对原装进口现货

2021-6-6 2:37:02发布25次查看
一般信息数据列表stx11nm50n
标准包装  2,500
包装  标准卷带 
类别分立半导体产品
产品族fet - 单
系列mdmesh™ ii
其它名称497-10567-2
规格不同 id 时的 vgs(th)(最大值)4v @ 250µa
不同 vds 时的输入电容(ciss)547pf @ 50v
不同 vgs 时的栅极电荷(qg)19nc @ 10v
不同 id,vgs 时的 rds on(最大值)470 毫欧 @ 4.5a,10v
供应商器件封装d-pak
功率 - 最大值70w
安装类型表面贴装
封装/外壳to-252-3,dpak(2 引线+接片),sc-63
漏源极电压(vdss)500v
电流 - 连续漏极(id)(25°c 时)8.5a(tc)
fet 功能标准
fet 类型mosfet n 通道,金属氧化物
文档其它有关文件std11nm50n view all specifications
图像和媒体产品相片to-263

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