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30V N沟道MOSFET(D-S)SI2300(00A8C)

2021-5-14 8:52:59发布6次查看
品牌KF型号SI2300
种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道
导电方式增强型用途DC/直流
封装外形CHIP/小型片状材料N-FET硅N沟道

深圳市硕实科技供应原装科范si2300(00a8c)30v n沟道mosfet(d-s)
产品概述:vds (v):30v   
      rds(on) (ω):0.068 at vgs = 4.5 v   id (a):3.6a   qg (typ.):3 nc
      rds(on) (ω):0.085 at vgs = 2.5 v   id (a):3.4     qg (typ.):3 nc
额定值ta = 25°c,除非另有说明:
                                          漏源电压:30v
                                          栅源电压:± 12v
                                          连续漏电流(tj = 150°c):  tc = 25 °c    3.6a  a
                                                                                    tc = 70 °c     3.0   a
                                                                                    ta = 25 °c     3.1b, c  a
                                                                                    ta = 70 °c     2.5b, c  a
                                         脉冲漏极电流:15a
                                         连续源drain diode current:   tc = 25 °c   1.4  a
                                                                                      ta = 25 °c    0.9b, c  a
                                         功率耗散 :   tc = 25 °c   1.7w
                                                                tc = 70 °c   1.1w
                                                                ta = 70 °c    0.7b, c w
                             工作结和储存温度范围:- 55 to 150°c
                      焊接建议(峰值温度)d,e:260°c
特征:
   1》卤根据iec 61249-2-21自由定义
   2》?trenchfet功率mosfet
   3》100% rg测试
   4》符合rohs指令2002/95/欧共体
应用:
  1》便携式设备的dc / dc转换器
  2》负荷开

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