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主要应用于mems制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级先进封装以及3d互联、tsv工艺。
主要特点
最大化降低客户总拥有成本（tco）
最高键合温度450度，压力10kn
精确的硅片低压契型补偿系统以提高良率
温度均匀性： 
工艺菜单与其他键合系统通用
高真空键合腔室 (可低至 10-5 mbar，使用分子泵)
开放式腔室设计便于快速转换和维护
基于windows 的控制软件和操作界面
最小化占地占地面积--- 200 mm键合系统占地 0.88 m2
技术参数
加热器尺寸=最大晶片尺寸（mm）
150mm 或200mm
最小硅片直径
150mm加热器：单一小片或碎片；200mm加热器：100mm
键合卡盘/对准系统
150mm加热器
evg610，evg620，evg6200
200mm加热器
evg6200，mba300，smartview
键合腔
最大接触压力
3.5kn，10kn，20kn
最高温度
450℃
真空度
0.1mbar(标配)，1e-5（可选）
阳极键合功率
0-2000v，0-50a
腔室个数
1
上料腔室
手动
工艺菜单
与其他键合设备兼容

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北京百亚科技有限公司上海分公司
娄
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