mosfet场效应晶体管
型号：svf3n80m/mj/f/d
一、描述
mosfet场效应晶体管提供的svf3n80m/mj/f/d  n沟道增强型高压功率mos场效应晶体管采用士兰微电子的f-celltm平面高压vdmos工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该mosfet场效应晶体管产品可广泛应用于 ac-dc 开关电源，dc-dc 电源转换器，高压h桥pwm马达驱动。
二、特点
∗ 3a，800v，rds(on)(典型值)=3.8ω@vgs=10v     
∗  低栅极电荷量
∗  低反向传输电容
∗  开关速度快 
∗  提升了 dv/dt 能力
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