品牌HOMSEMI	型号HS10N65
种类绝缘栅(MOSFET)	沟道类型N沟道
导电方式增强型	用途DC/直流
封装外形SMD(SO)/表面封装	材料N-FET硅N沟道
是否跨境货源否	货号17+
批号17+	封装TO220

深圳市硕实科技原装供应10a 650v n 沟道增强型场效应晶体管:hs10n65
额定值 absolute ratings (tc=25℃)
漏极－源极直流电压:650v
连续漏极电流t=25℃:9.5a
                t=100℃:6a
脉冲漏极电流（注 1）:30a
栅源电压:±30v
单脉冲雪崩能量（注 2）:713mj
雪崩电流（注 1）:9.5a
重复雪崩能量（注 1）:17.8mj
二极管反向恢复电压变化速率（注 3）:4.5v/ns
耗散功率178w/50w
          1.43w/℃/0.4w/℃
结温及存储温度:-55～+150℃
引线焊接温度:300℃
产品特性：
1》低栅极电荷
2》低 crss (典型值 20pf)
3》开关速度快
4》产品全部经过雪崩测试
5》高抗 dv/dt 能力
6》rohs 产品
应用：
1》 高频开关电源
2》电子镇流器
3》ups 电源
4》电源适配器

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林先生
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