钛酸钡（batio3）单晶
钛酸钡（batio3）单晶具有优异的光折变性能，具有高的自泵浦相位共轭反射率和二波混频（光放大）效率，在光信息存储方面有巨大的潜在应用前景；同时它也是重要的衬底基片材料。
晶体主要参数:
晶体结构
 四方tetragona(4m):13°c ,c=4.04,(at 26°c)
生长方法
tssg (top seeded solutiongrowth) 顶部籽晶法
熔点
1612°c 
折射率
515nm
  633nm 
800nm
no
2.4912
2.4160
2.3681
ne 
2.4247
2.3630
2.3235
透过波长范围
0.43-6.30 mm
电光系数
rt13=8±2pm/v ?    rt33=105±10pm/v?     rt42=1300±100pm/v
自泵浦相位共轭反射率
（0度切）
50 - 70 % for l = 515nm(ce: batio3)
40 - 60 % (purebatio3) for l = 515nm
50 - 80 % for l = 633nm(ce: batio3)
40 - 60 % for l = 633nm (purebatio3)
二波混频耦合系数  
10-40  cm-1
吸收损失 
  l: 515nm 633nm  800nm
  a:0.285cm-1  0.108cm-1  0.033cm-1
光折变效应的工作波长  
 undoped bto: for visible
 ce:bto :480-780nm
 rh:bto :for 720-1060nm
基片规格：
光折变级
3x3x3 mm 2- 4 faces polished & poled
 5x5x5 mm 2- 6 faces polished & poled
 0°及45°切。
基片级
size : 5x5x1.0 mm,10x10x1.0 mm or others
 polishing : 1 or 2 faces polished
 poling : substrates with 
    <100>，<110>，<111>orientations can not be poled；
    <001> orientation substrate must bepoled.

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