多晶硅实验炉，多晶硅铸锭实验炉，多晶硅熔炼实验炉，多晶硅实验设备。
太阳能级硅锭制造，也可以用于其他半导体材料提纯。
特点
控制精度高，结晶速度自由调节
采用感应熔炼法，增加溶液搅拌，熔炼速度快
定向凝固保温采用特制加热电源
具有三相电流平衡，维护费用低
采用恒温度控制仪
主要技术参数
熔炼容量：3-25kg  
电源功率：50-160kw      
升温速率：40℃/min    
炉温均匀性：±5℃      
极限真空度：1.0×10-3pa     
压升率：   0.01pal/s      
额定充气压力：0.05mpa     
铸锭方式：下降定向凝固    
伺服控制范围：0.01mm-6mm/min          
定向凝固速率：0.03mm-0.5mm/min         
坩埚上升速度：80-100 mm/min

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易女士
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