品牌TI	型号TPS73533DRVR
类型放大器	用途报警器
封装QFN6	系列单输出LDO
功率500mA 低压降稳压器	批号2018+、 1825+
特色服务TPS73533DRVR单输出LDO	产品说明泰国产地
货号1825+	是否跨境货源否
包装3000	应用领域汽车电子、 网络通信、 医疗电子、 智能家居、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源
TPS73533DRVR进口原装，正规报关，可追溯原厂

品牌：ti
型号；tps73533drvr
封装：qfn6
包装：3000
年份：1825+
产地：泰国
数量：990000
tps73533drvr单输出ldo 低噪声、高psrr 低压降稳压器
德州仪器ti 授权代理商
瑞利诚科技（深圳）有限公司
联系人：eason
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邮箱：13312991513@163.com
tps735 单输出 ldo、500ma、可调节低静态电流、低噪声、高 psrr
tps7a90 - tps7a90为500ma，低噪音(4.7uvrms) ldo小包装(2.5 mm x 2.5mm)
tps7a87——器件与被比较器件具有相似功能,但并不功能等效。
tps7a87是双通道,低噪音,500 ma ldo。
tps745——器件与被比较器件具有相似功能,但并不功能等效。tps745马是500可调输出ldo较低,低智商和更广泛的vin力量好
描述
tps735低压降(ldo)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比(psrr),低噪声,快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应,同时消耗极低的45?a(典型值)接地电流。
tps735器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的bicmos制造工艺,能够在输出500毫安电流时产生280 mv的典型压降电压.tps735器件使用精密电压基准和反馈环路,可在全部负载,线路,过程和温度变化范围内实现2%的总体精度(输出电压> 2.2 v)此器件的额定tj = -40°c至+ 125°c,采用薄型3毫米×3毫米son-8封装和2毫米×2毫米wson-6封装。
特性
输入电压:2.7 v至6.5 v
带在引脚的500毫安低压降稳压器
低智商:45?a
提供了多个输出电压版本:
1.2 v至4.3 v固定输出
1.25 v至6 v可调输出
高psrr:1 khz频率下为68分贝
低噪声:13.2?vrms
快速启动时间:45?
使用陶瓷2.2?f低esr输出电容器实现稳定运行
出色的负载和线路瞬态响应
2%的总体精度(负载,线路和温度,输出电压> 2.2 v)
极低的压降:500马电流下为280 mv
2毫米×2毫米wson-6和
3毫米×3毫米son-8封装
tps735 500 ma,低静态电流,低噪声,高psrr
低压降线性稳压器
1特性
1?输入电压:2.7 v至6.5 v
?带在引脚的500毫安低压降稳压器
?低智商:45μa
?提供了多个输出电压版本:
- 1.2 v至4.3 v固定输出
- 1.25 v至6 v可调输出
?高psrr:1 khz频率下为68分贝
?低噪声:13.2μvrms
?快速启动时间:45μs
?使用陶瓷2.2μf低esr输出电容器实现稳定运行
?出色的负载和线路瞬态响应
?2%的总体精度(负载,线路和温度,输出电压>2.2 v)
?极低的压降:500马电流下为280 mv
?2毫米×2毫米wson-6和
3毫米×3毫米son-8封装
2应用
?后直流/直流转换器纹波滤除
?ip网络摄像机
?大型基站
?恒温器
3说明
tps735低压降(ldo)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比
(psrr),低噪声,快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应,同时消耗极低的45μa(典型值)接地电流。
tps735器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的bicmos制造工艺,能够在输出
500年马电流时产生280 mv的典型压降电压.tps735器件使用精密电压基准和反馈环路,可在全部负载,线路,过程和温度变化范围内实现2%的总体精度(输出电压> 2.2 v)。此器件的额定tj = -40°c至+ 125°c,采用薄型3毫米×3毫米son-8封装和2毫米×2毫米wson-6封装
i / o描述
没有drv drb输入供应。0.1 -?f 1-?f、低esr电容器必须从这个销到地面在设备附近。国民生产总值3 4地。这块垫子必须系在gnd上。
驱动使能销(en)高打开调节器。把这个销子压得很低就把调节器调低了进入关闭模式。如果不使用en pin，则可以连接到in pin。
nr 2 3 -这个引脚只适用于固定电压版本。连接外部电容器
这个引脚绕过由内部带隙产生的噪声，并允许输出噪音要降到很低的水平。电容器是0.01μf的限度。
此销钉仅适用于可调版本。fb引脚是控制循环的输入误差放大器，用于设置器件的输出电压。
这枚别针不能留下浮动。
这个引脚是调节器的输出。一个小,2.2 -μf陶瓷电容器是必需的钉在地面以确保稳定性。稳定所需的***小输出电容是2?f。
额定参数
在-40°c≤tj和ta≤+ 125°c(除非另外说明)。所有电压都与gnd有关。
***小单位
电压-0.3 v 7
对-0.3 - 1.6 v
3vin + 0。3v
iout电流内部限制a
pd(tot)连续总功耗见热信息
tj操作结温-40 150°c
测试存储温度-55 150°c
(1) jedec文件jep155规定500-v hbm允许使用标准esd控制过程进行安全制造。
(2) jedec文件jep157表示，250-v cdm允许使用标准的esd控制过程进行安全制造。
v静电放电(esd)
的人体模型(hbm)/ ansi / esda /电平js - 001,所有的针(1)±2000 v
根据jedec规范jesd22-c101，所有设备型号(cdm)销(2)±500 v
(1)当操作在tj 125°c附近ioutμa(分钟)是500。
(2)可调版本只。
6.3推荐的操作条件
超过工作接点温度范围(除非另有说明)
***小公称单位
vin输入电压2.7 6.5 v
输出电压
输出电流(1)0500ma
助教营业自由空间温度-40 125°c
输入电容1?f cin
2?f cout输出电容
cnr降噪电容器10nf
cff前馈电容(2)3221000 pf110 kωr2反馈电阻器(2)
tps735(2)
drb(子)drv (wson)单元8针6针
rθja junction-to-ambient热阻(3)52.2 - 65.1°c / w
rθjc(上)junction-to-case(上)热阻(4)59.4 - 85.6°c / w
rθjb junction-to-board热阻19.3 - 34.7°c / w
ψjt junction-to-top特征参数(5)2 1.6°c / w
ψjb junction-to-board特征参数(6)19.3 - 35.1°c / w
rθjc(bot)junction-to-case(底部)热阻(7)11.8 - 5.8°c / w
(1)有关传统和新热度量的更多信息，请参阅半导体和集成电路封装热度量的应用告。
(2)基于jedecs标准方法的热模拟得到drb、dcq和drv包的热数据
在jesd51系列中指定。在模拟中使用了以下假设:(a) i. drb:所述外露垫通过一个2x2热via阵列连接到pcb底层。
二世。drv:通过一个2×2热via阵列连接到pcb底层。由于热尺寸限制垫，0.8毫米间距阵列使用是脱离jedec标准。
(b) i. drb:假设顶部和底部的铜层具有20%的铜导热率，表示20%的铜报道。
ii drv:假设顶部和底部的铜层具有20%的热导率，表示20%的铜报道。
(c)这些数据生成只有单一设备的中心电平high-k(2 s2p)与3×3铜。来了解铜面积对热工性能的影响，查看功耗和结温估算部分。
(3)通过在jedecs标准高k板上的模拟，得到了自然对流下的环境热电阻在jesd51-7中指定，在jesd51-2a中描述的环境中。
(4)通过模拟箱体顶部的冷板试验，得到箱体(顶)的热电阻。没有具体jedecstandard测试是存在的，但是在ansi半标准的g30-88中可以找到详细的描述。
(5)junction-to-top表征参数,ψjt,估计设备的结温在实际系统和提取从仿真数据获得θja使用过程中描述jesd51-2a(部分6和7)。
(6)junction-to-board表征参数,ψjb,估计设备的结温在实际系统和提取从仿真数据获得θja使用过程中描述jesd51-2a(部分6和7)。
(7)通过模拟在外露(电源)垫上的冷板试验，得到了接壳(底部)的热电阻。没有具体的jedec标准测试是存在的，但是在ansi半标准g30-88中可以找到详细的描述。
tps735的低辍学率(ldo)调节器结合了射频(rf)所要求的高性能
以及具有超低电流消耗的精密模拟应用。高psrr由高增益提供，
高带宽误差环路具有良好的电源拒绝和非常低的净空(vin - vout)。固定电压版本
提供一个降噪引脚，以绕过由带隙参考产生的噪声，并提高psrr。
快速启动电路在启动时快速给这个电容器充电。高性能与低地面的结合
目前，tps735设备设计为便携式应用。所有版本都有热电流和过电流保护和指定从-40°c≤tj≤+ 125°c。
功能描述
内部电流限制
tps735内部电流限制在故障情况下保护调节器。在当前限制期间，输出
与输出电压无关的固定电流。为可靠运行，请勿操作长时间的电流限制装置。
tps735器件中的pmos通道元件包含一个内置的体二极管，用于在
外销处的电压超过内销处的电压。这个电流不受限制，所以如果扩展反向电压运行正常，外部限制适当。
使能引脚(en)是有源高，并兼容标准和低压ttl-cmos电平。当不需要关闭能力，en脚可以连接到in脚。
tps735器件采用pmos通型晶体管实现低辍学率。当(vin - vout)小于
压差电压(vdo)， pmos通断装置处于线性工作区域和输入-输出
pmos孔型元件的电阻(r(进/出))。由于pmos器件，vdo随输出电流的变化而变化就像电阻器在放电。
与任何线性调节器一样，psrr和瞬态响应在(vin - vout)接近退出时下降。典型的特征显示了这个效果;通过图10(见图8)。
启动降噪电容器
tps735的固定电压版本使用快速启动电路为降噪电容器(cnr)充电
如果存在(参见功能框图)。这种结构允许低输出噪声和快速的结合
启动时间。nr引脚是高阻抗的，所以必须使用低泄漏的cnr电容器。大多数陶瓷
在这种配置中，电容器是合适的。是一种高质量的、cog型(npo)介电陶瓷电容器建议在温度可能突然变化的环境中使用cnr。
对于***快的启动，首先应用vin，然后驱动使能(en)针高。如果en与in捆绑在一起，启动就会变慢。
看到典型的应用程序。大约135μs快速启动开关关闭。确保cnr收费在快速启动时间,使用一个电容值不超0.01μf。
瞬态响应
与任何调节器一样，增加输出电容的大小可以减少过冲和过冲幅度
但是增加了瞬态响应时间。在可调版本中，在out和fb之间添加cff
销提高稳定性和瞬态响应性能。tps735器件的瞬态响应为
由主动下拉加强，当输出超冲约5%或更多时启动该设备启用。下拉装置的工作原理就像400 -?电阻接地时启用。
欠压锁定
tps735设备使用一个欠压锁定电路来禁用输出，直到内部电路关闭
正常运作。uvlo电路包含一个deglitch特性，这样uvlo就忽略了欠冲瞬变输入如果瞬变不到50μs持续时间。
***小负载
tps735装置稳定，无输出负载。以满足指定的精度,负载500μa***低
必需的。如果输出是低于500?a如果结温是大约125°c,输出
增加足够的量以打开输出下拉菜单。输出下拉限制电压漂移到5%(通常)但是
地面电流可以增加大约50μa。在大多数应用中，接点不会达到很高
在轻负载下的温度，因为耗散的功率很小。因此，指定的接地电流在大多数应用程序中没有负载
热保护时禁用输出接点温度增加到大约165°c
让设备冷却。当接点温度冷却到约145°c,输出电路启用。
根据功耗，热电阻和环境温度，热保护
电路循环时开时关。这种循环限制了调节器的耗散，保护了调节器的安全过热造成的损坏。
任何激活热保护电路的倾向都表明功率损耗过大或不足
散热器。运行可靠,接点温度限制在125°c(值)
估计热余量在一个完整的设计中(包括散热器)，增加环境温度直到热保护
触发。使用***坏情况负载和信号条件。对于可靠的操作，至少触发热保护
40°c以上的预期一个特定应用程序的环境条件。这个配置生成一个
***坏的结温125°c的环境温度和***坏的负载。
tps735的内部保护电路可以防止过载。该保护电路
不打算取代适当的散热下沉。连续运行tps735进入热停堆退化设备的可靠性。
该装置在以下条件下调节额定输出电压:
?输入电压之前超过uvlo电压，未低于uvlo阈值- vhys。
?输入电压大于外加电压的额定输出电压。
?使能电压之前已经超过使能上升阈值电压，并且没有降低
低于使能下降阈值。
输出电流小于电流极限。
?设备结温在指定范围内。
辍学操作如果输入电压低于标称输出电压加上指定的电压，但所有其他
在正常运行条件下，设备工作在停车模式下。在这种情况下，输出
电压等于输入电压减去停止电压。设备的瞬态性
因为传递设备处于三极管状态，ldo就像一个电阻一样工作。行或负载瞬态放电会导致输出电压偏差较大。
该设备在以下条件下被禁用:?输入电压小于uvlo阈值减去vhys，或尚未超过uvlo阈值。
?使能电压小于使能下降阈值电压或尚未超过使能上升阈值。
?设备结温大于热停机温度。
应用程序信息
tps735 ldo调节器提供了一种超低噪音、高psrr、低辍学线性调节的设计与一个非常小的接地电流(5?a,典型的)。
该器件具有稳定的陶瓷电容，全输出额定电压280 mv
500 ma。tps735装置的特点使ldo调节器可以广泛应用于多种场合***小设计复杂度的应用程序。
输入和输出电容器的要求
虽然一个输入电容稳定,不需要连接一个0.1 -μf辐射量1-μf低seriesresistance
(esr)电容器穿过靠近调节器的输入电源是很好的模拟设计实践。
这电容器抵消无功输入源，改善瞬态响应和纹波抑制。
一个高价值如果预期有大的、快速的、上升时间负载瞬变，或者设备位于多个位置，则可能需要电容
离电源几英寸。如果源阻抗不是足够低,0.1 -μf输入电容需要确保稳定。
该tps735装置设计稳定与标准陶瓷输出电容器的价值2μf或更大。
x5r-和x7r型电容器是的，因为这些电容器具有***小的变化率
温度和esr。输出电容器的esr<1ω,因此输出电容器类型必须是陶瓷或导电聚合物电解。
前馈电容器需求前馈电容器(cff),图16所示,需要稳定。对于r1和r2的平行组合
等于250 k?之间的任何值3 pf 1 nf可以使用。固定电压版本有一个内部30-pf
启动时快速充电的前馈电容器。更大的价值电容器改善噪音轻微。的
ps735设备在无cff的情况下，在unity-gain配置下是稳定的(out pin与fb pin相连)。
输出噪声在大多数ldo调节器中，带隙是主要的噪声源。如果使用降噪电容器(cnr)在tps735设备中，带隙对噪声影响不大。
噪声是由输出电阻分压器和错误放大器输入。为使给定应用程序中的噪声***小化，使用10-nf噪声减少电容器。
对于可调版本，小值电阻在输出电阻分压器减少噪音。
并行组合产生2μa分配器电流相同的噪声性能作为一个固定的电压版本与中国北车。
进一步优化噪音,设置输出电容器的esr大约0.2ω。
这配置使控制环的相位裕度化，从而将总输出噪声降低到10%。“透明国际”建议电容值为10nf。
公式1计算近似综合输出噪声从10赫兹至100千赫的cnr值tps735可调版没有降噪引脚，所以超低噪音操作不可能的。
该装置设计在输入电压2.7 v到6.5 v之间工作。
输入电压范围必须为设备提供足够的空间，使其有一个规定的输出。这个输入供应必须
是井然有序的。如果输入电源有噪声，增加低esr的输入电容有助于提高输出噪音。
为了获得的整体性能，将所有电路元件放置在电路板的同一侧，并尽量靠近各自的ldo引脚连接尽可能。将地面返回连接放置到输入和输出容，和ldo接地引脚尽可能接近，通过一个广泛的，部件侧连接，铜表面。
强烈反对使用vias和长跟踪来创建ldo组件连接并对系统性能产生负面影响。
这种接地和布局方案限度地减少了感应寄生，其结果是，减少负载电流瞬变，减少噪音，并提高电路的稳定性。
ti建议使用接地参考平面，并嵌入到印刷电路板(pcb)本身或位于pcb的底部与组件相对。
这个参考平面保证了输出电压的准确性，保护ldo不受噪声的影响，操作类似于热平面来传播(或吸收)来自ldo设备的热量当连接到暴露的热垫时。在大多数应用中，这种接地平面需要满足热要求要求。
tps73501drbr
tps73501drvr 
tps73501drvr
tps73501drvt 
tps73501drvt 
tps73512drbr
tps73512drbt
tps73515drbr
tps73515drbt
tps73525drbr
tps73525drbt
tps73525drvr
tps73525drvt
tps73527drvr 
tps73527drvr 
tps73527drvt
tps735285drvr

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