产品描述(pbss302px  p5j)
集电极-基极反向击穿电压v(br)cbocollector-base voltage(vcbo) −20v
集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceocollector-emitter voltage(vceo) −20v
集电极连续输出电流iccollector current(ic) -5.1a
截止频率fttranstion frequency(ft) 130mhz
直流电流增益hfedc current gain(hfe) 370
管压降vce（sat）collector-emitter saturationvoltage -300mv/-0.3v
耗散功率pcpower dissipation 600mw/0.6w
description & applications 20 v, 5.1 a pnp low vcesat (biss) transistor features low vcesatultra low collector-emitter saturation voltage vcesat 4 acontinuous collector current capability ic (dc) up to 15 a peakcurrent very low collector-emitter saturation resistance highefficiency due to less heat generation sot457 (sc-74) smd plasticpackage. npn complement: pbss302nx applications power managementfunctions charging circuits dc-to-dc conversion mosfet gate drivingpower switches (e.g. motors, fans) thin film transistor (tft)backlight inverter
描述与应用 20 v，5.1 a pnp低vcesat  （biss）晶体管 特点 低vcesat 超低集电极 -发射极饱和电压vce监测 4连续集电极电流能力ic（dc） 高达15 a峰值电流 极低的集电极 - 发射极饱和电阻由于产生的热量少，效率高 sot457（sc-74）smd塑料包装。 npn补充：pbss302nx的 应用 电源管理功能。 充电电路的dc-dc转换 mosfet栅极驱动 电源开关（如电机，风机） 薄膜晶体管（tft）背光逆变器

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马先生
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中航路都会轩1917