tvs esd array二极管及阵列
gblc03c-lf-t7 gblc05c-lf-t7 gblc08c-lf-t7 gblc12c-lf-t7
gblc24c-lf-t7 gblc03ci-lf-t7 gblc05ci-lf-t7
psot03c-lf-t7 psot05c-lf-t7 psot12c-lf-t7 psot15c-lf-t7
psot24c-lf-t7 psot36c-lf-t7
psrda3.3-4-lf-t7 slvu2.8-lf-t7 psr05-lf-t7 slvu2.8-4-lf-t7
smf05c-lf-t7 plr0504f rsb6.8s-lf-t7 rsb6.8c-lf-t7
srv05-4-p-t7 psm712-lf-t7 ptkpp3100sb-lf-t13
sm16lc15c-lf-t7 psd03c-lf-t7 psd05c-lf-t7 psd08c-lf-t7
psd12c-lf-t7 psd18c-lf-t7 psd24c-lf-t7 psrda05-4-lf-t7 
em8d-100l-lf-t7 sr12-lf-t7 pd10850q-lf-t7 psot05lc-lf-t7
em4d-100l-lf-t73 pd10753-lf-t7
大功率低容值瞬变二极管阵列
瞬态电压抑制元件lc03-3.3，lc03-6
lc series 18 v 1800 w smt low capacitance tvs for high speed interface - soic-8
可以保护连接到高频成分从电压高速数据通信线路浪涌引起的雷电，静电放电（esd），电快速瞬变（eft）。
适用于：低压接口•t3／e•10/100/1000以太网•机顶盒•isdn接口，低工作电压3.3v大大减少发热带来的影响，高功率使数据传输更便捷，其内部结构特殊（详见下方电路图）
lc03-3.3电特性（features）：
1、高速接口的低电容。
2、超低漏：na水平。
3、低工作电压：3.3v。
4、超低的箝位电压。
5、保护两线的共模和差模
6、jedec so - 8封装
7、符合以下标准：
iec61000-4-2（esd）静电试验
空气放电: ±30kv
接触放电: ±30kv 
iec61000-4-4 (eft) 40a (5/50ns)
iec61000-4-5 (lightning) 100a (8/20μs)
符合rohs标准
大功率低容值瞬变二极管阵列
tvs  lc03-6.tbt参数
电压, vrwm: 6v
击穿电压范围: 6.8v
钳位电压 大: 20v
峰值脉冲电流: 100a
封装形式: soic
针脚数: 8
二极管类型: tvs
击穿电压: 6.8v
击穿电压 小: 6.8v 
封装类型: soic
工作温度范围:-55°c到 +125°c
截止电压: 6v
电容, cd典型值 @ vr: 8pf

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