天高微科技供应utd408.me20n03代替utd408，utd408代替utc408兼容utc408配套utd408-pdfutd408.用me20n03完全兼容代替，参数更好
n沟道增强型mosfet
me20n03是n沟道增强型功率逻辑
场效应晶体管是利用高密度，dmos
沟道技术。这种高密度的过程，特别是针对
减少通态电阻。这些器件特别适合
低电压应用，如手机和笔记本
电脑的电源管理和其它电池供电的电路
在高侧开关，低线的功率损耗也需要在
非常小的轮廓表面贴装封装。
特征
●rds（on）≦1500mω@ vgs = 10v
●rds（on）≦2000mω@ vgs = 4.5v
●超高密度细胞设计的非常低的rds（on）
●特殊性和最大直流电流的能力
mos管 高压mos  低压mos  n沟道mos  p沟道mos  低功耗mos  升压内置/外置mos  双p沟道mos   低压差mos   esd保护mos  n沟道增强型 mos   dmos   igbt  肖特基  二三极管  场效应管
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