摩尔定律危机
　　随着大规模电路发展，晶体管越来越小，集成数量成几何级增加，其制造工艺却越来越难了。克服这些技术和工艺壁垒不仅需要大量的时间和研究，还需要大量的资金和投资。因此，摩尔定律也中的时间也逐渐放缓，甚至可它可能会很快不成立，摩尔定律危机爆发（当然如果没有巨大变革这是必然的）。
　　英特尔花了大约两年半的时间才从2012年的22纳米工艺发展到2014年的14纳米工艺，之后10纳米的研究和开发一直就问题不断，多次延迟，可能要到2019年才能上市，不过好消息是amd 7纳米的显卡和cpu会在2019年上市（见虫虫最近一篇文章《amd未来产品展望...》）。因为摩尔定律不是真正的定律，只是一种预测或推测。尽管芯片制造商一直致力于实现并保持目标，但这样做变得越来越困难。图尔克接近开关bi2-g12-ap6x 7m
　　援引摩尔本人2015年的话：我认为摩尔定律将在未来十年左右在消亡。
　　量子隧穿
　　随着电子元件越来越小（纳米级），量子特性和效应逐渐显现。随着我们不断减小晶体管的尺寸，其pn结耗尽层的尺寸也越来减小。耗尽层非常重要，用于阻止电子的流动。研究人员通过计算得出，由于电子在其耗尽区中的隧道效应，小于5nm的晶体管将无法阻止电子流动。由于隧穿，电子将不会感知耗尽区域，直接 跨穿。如果不能阻止电子流动，晶体管就会失效。图尔克接近开关bi2-g12-ap6x 7m