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5.灯饰由于发光二极管亮度的提高和价格的下降，再加上长寿命、节电，驱动和控制较霓虹灯简易，不仅能闪烁，还能变色，所以用超高亮度led做成的单色、多色乃至变色的发光柱配以其他形状的各色发光单元，装饰高大建筑物、桥梁、街道及广场等景观工程效果很好，呈现一派色彩缤纷、星光闪烁及流光异彩的景象。已有不少单位生产led光柱达万米以上，彩灯几万个，目前正逐步推广，估计会逐步扩大单独形成一种产业。
贴片三极管
贴片三极管基本作用是放大，它可以把微弱的电信号放大到一定强度，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。
贴片三极管的种类作用介绍：
贴片三极管除可以做交流信号放大器外，也可做为开关之用。但严格说起来，贴片三极管与机械接点式开关在动作上并不相同，但却具有机械式开关所没有的特点。当贴片三极管开关处于饱和导通状态时发射结和集电结均处于正向偏置。处于放大状态贴片三极管特征是发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。贴片三极管外形与普通三极管外形相同，当其处于工作于截止区和饱和区时，相当于电路切断和导通。由于贴片三极管具有完成断路和接通作用，被广泛应用于各种开关电路之中。
目前采用led的发光峰值波长是红色630nm，黄的色590nm，绿色505nm.应该注意的问题是驱动电流不应过大，否则夏天阳光下的高温条件将会影响led的寿命。最近，应用于飞机场作为标灯、投光灯和全向灯的led机场专用信号灯也已获成功并投入使用，多方反映效果很好。它具有自主知识产权，获准两项专利，可靠性好，节省用电，免维护，可推广应用到各种机场，替代已沿用几十年的旧信号灯，不仅亮度高，而且由于led光色纯度好，特别鲜明，易于信号识别［1］。铁路用的信号灯由于品种系列较多，要求光强和视角也各不相同，目前正加紧研制中，估计会逐步研制成功并陆续投入应用，从数量看，也是一个颇大的市场。
发光二极管是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为led。发光二极管与普通二极管一样是由一个pn结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从p区注入到n区的空穴和由n区注入到p区的电子，在pn结附近数微米内分别与n区的电子和p区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。
贴片三极管的种类
贴片三极管按极性划分为：npn型三极管和pnp型三极管，贴片三极管按材料分为：硅三极管和锗三极管，按贴片三极管工作频率划分为：低频三极管和高频三极管，按贴片三极管功率分为：小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管，按贴片三极管用途分为：放大管和开关管。由于贴片三极管分类不同，性能和功能上也有所不同，在贴片三极管实际使用中可根据需要进行适当选择，以满足不同需求。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
程序编写：用keil新建一个c语言程序工程，代码如下：怎么利用单片机驱动发光二极管运行辨真假，可以看到led灯亮了怎么利用单片机驱动发光二极管下面的程序案例，将点亮led灯封装在一个函数里，这个函数仅实现点亮led灯的逻辑功能，使用时根据硬件连接设置函数参数即可，希望起到抛砖引玉的效果。怎么利用单片机驱动发光二极管
怎样判断大功率三极管的好坏用万用表吧！1、万无一失：测量极间电阻。将万用表置于r×100或r×1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。满足以上全部，说明很正常！怎样判断大功率三极管的好坏浅析三极管的好坏检测
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贴片三极管的作用
贴片三极管常用于开关电源电路、高频振荡电路、驱动电路、模数转换电路、脉冲电路及输出电路等。当加在贴片三极管发射结电压大于pn结的导通电压时，并且贴片三极管基极电流增大到一定程度，集电极电流将不再随基极电流增大而增大，而是处于一定值附近不再变化。贴片三极管和插件三极管具有同样功能，只不过是三极管的封装不同。贴片三极管在外形上更小、省空间同时免去人工插件。
一般小功率管约1oμa左右，硅管更小些。集电极一一发射极反向电流i(cbo)也称穿透电流。它是指基极开路时，在集电极与发射极之间加上规定的反向电压时，集电极的漏电流。此值越小越好。硅管一般较小，约在1μa以下。如果测试中发现此值较大，此管就不易使用。2、极限参数集电极较大允许电流i(cm)当三极管的β值下降到较大值的一半时，管子的集电极电流就称集电极较大允许电流。当管子的集电极电流ic超过一定值时，将引起晶体管某些参数的变化，最明显的是β值下降。因此，实际应用时ic要小于i(cm°)集电极较大允许耗散功率p(cm)当晶体管工作时，由于集电极要耗散一定的功率而使集电结发热，当温度过高时就会导致参数的变化，甚至烧毁晶体管。
单只vdmos管的功率和电流放大能力是有限的，无法达到上千安培的输出电流能力，采用多只并联的方式可以解决这个问题，以达到所需要的峰值电流。常见的连接方法如图3所示。在以上的内容中，本文对于各种浪涌电流冲击测试的要求进行了介绍，并且测试所用的元器件都是常见的一些元器件。测试电路拥有体积小重量轻的特点，方便快速组合成测试仪器。在较不稳定环境中进行测量时的优势较为明显。
三极管的工作原理三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极c，基极b，发射极e。分成npn和pnp两种。我们仅以npn三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。一、电流放大下面的分析仅对于npn型硅三极管。如上图所示，我们把从基极b流至发射极e的电流叫做基极电流ib；把从集电极c流至发射极e的电流叫做集电极电流ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极e上就用了一个头来表示电流的方向。
质量检测方案
（a）测量极间电阻。将万用表置于r×100或r×1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。
（b）贴片三极管的穿透电流iceo的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流icbo的乘积。icbo随着环境温度的升高而增长很快，icbo的增加必然造成iceo的增大。而iceo的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用iceo小的管子。
通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法，可间接估计iceo的大小，具体方法如下：
万用表电阻的量程一般选用r×100或r×1k挡，对于pnp管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于npn型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大，说明管子的iceo越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的iceo越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明iceo很大，管子的性能不稳定。
测pnp小功率锗管时，万用表r×100档正表笔接集电极，负表笔接发射极，相当于测三极管集电结承受反向电压时的阻值，高频管读数应在50千欧姆以上，低频管读数应在几千欧姆到几十千欧姆范围内，测npn锗管时，表笔极性相反。测npn小功率硅管时，万用表r×1k档负表笔接集电极，正表笔接发射极，由于硅管的穿透电流很小，阻值应在几百千欧姆以上，一般表针不动或者微动。
其在使用过程中的选用原则为：（1）当三极管使用的环境温度高于30℃时，耗散功率pcm应降额60-80%使用。（2）三极管应尽量远离发热元件，以保证三极管能稳定正常地工作。（3）在三极管的参数中，有一些参数容易受温度的影响如iceo、ubeo和β值。其中iceo和ubeo随温度变化而变化的情况如下：①温度每升高6℃，硅管的iceo将增加一倍；②温度每升高l0℃，锗管的iceo将增加一倍；③硅管ubeo随温度的变化量约为1·7mv/℃。（4）如果使用在3v、5v的低电压的情况下，击穿电压不要选择的太大，击穿电压过大（高于15v），其在低压时的线性就不好，反而影响使用。（5）输入信号较弱时，建议在初级放大使用插入增益小一些的2sc3356，次级放大选用增益大些的bfq591或者2sc3357。
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