2019年7月17日意法半导体的stdrive601三相栅极驱动器用于驱动600v n沟道功率mosfet和igbt管，稳健性居目前业内最先进水平，可耐受低至－100v的负尖峰电压，逻辑输入响应速度在85ns以内，处于同级产品一流水平。
stdrive601内置智能关断电路，可提高保护功能的启动速度，在检测到过载或短路后，立即关闭栅极驱动器输出。用外部电容和电阻设定断态持续时间，必要时，设计人员可以用较大的c－r值设置所需时间，而不会影响关断反应时间。stdrive601具有低电平有效故障指示器引脚。
stdrive601可以替代三个半桥驱动器，简化pcb电路板布局设计，优化三相电机驱动器的性能，可以驱动家电、工业缝纫机、工业驱动器和风扇等设备。
所有输出均可灌入350ma电流，源出200ma电流，栅极驱动电压范围为9v－20v，可驱动n沟道功率mosfet或igbt管。低边和高边之间的延迟匹配功能消除了周期失真现象，并允许高频开关操作，而互锁和死区插入特性可防止交叉导通。
stdrive601采用意法半导体的bcd6s离线功率开关制造工艺，驱动电源是高达21v的逻辑电源电压和高达600v的高边自举电压。驱动器集成自举二极管，节省物料清单成本，并且低边和高边驱动电路都有欠压锁定（uvlo）功能，可防止电源开关在低能效或危险条件下运行。
evalstdrive601评估板现已上市，可以帮助用户探索stdrive601驱动器的功能，快速创建并运行首个原型系统。
stdrive601 芯片现已投入生产，采用so28封装。

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