2019年8月12日。日前，vishay intertechnology， inc．宣布，推出新款60 v trenchfet 第四代n沟道功率mosfet－－－siss22dn，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 v条件下最大导通电阻降至4 mw，采用热增强型3．3 mm x 3．3 mm powerpak？ 1212－8s封装。vishay siliconix siss22dn专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度，栅极电荷仅为22．5 nc，同时具有低输出电荷（qoss）。
与逻辑电平60 v器件不同，siss22dn提高了典型vgs（th）和miller（米勒）平台电压，适用于栅极驱动电压高于6 v的电路，器件最佳动态特性缩短死区时间，防止同步整流应用发生击穿。siss22dn业内低导通电阻比排名第二的产品低4．8％—与领先的逻辑电平器件不相上下—qoss为34．2 nc，qoss与导通电阻乘积，即零电压开关（zvs）或开关柜拓扑结构功率转换设计中，mosfet的重要优值系数（fom）达到最佳水平。为实现更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65％的pcb空间。
siss22dn改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗，多电源管理系统构件可实现更高效率，包括ac／dc和dc／dc拓扑结构同步整流、dc／dc转换器主边开关、降压－升压转换器半桥mosfet功率级，以及通信和服务器电源or－ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。
mosfet经过100 ％ rg和uis测试，符合rohs标准，无卤素。
siss22dn现可提供样品并已实现量产，供货周期为30周，视市场情况而定。

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