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三月份首次公开展示之后，三星电子今天宣布，已经全球个开始量产基于16gb(2gb) die颗粒的新一代64gb ddr4 rdimm内存条，主要面向企业和云服务应用。
三星表示，这条内存的标准频率为2666mhz，后续还可以轻松提升，同时功耗比两条32gb的节省多达19％。
三星这种大容量内存主要面向amd epyc服务器平台，因为后者内存扩展性能极佳，支持八通道，每路配16条内存插槽，使用这种64gb内存条的话，总容量就可以达到2tb。
而在上个月的技术大会上，三星首次公开宣布了qlc ssd，包括860 qvo(2.5寸sata)、980 qvo(m.2 nvme)两个系列。
按照三星的说法，qvo代表着“quality and value optimized”(质量和价值优化)，也就是高质量、低价格，当然也可以说对应着qlc闪存。
nvidia在gtx 1080显卡上使用了美光gddr5x显存，频率高达10ghz，位宽不变的情况下带宽也大幅提升。由于成本问题，在gtx 1070显卡上使用的还是gddr5显存，频率也提升到了8ghz。先发评测中gtx 1070显卡用的都是三星gddr5颗粒，后续产品也有使用美光显存，不过美光显存上来就给玩家惹了麻烦，超频时容易导致驱动崩溃，现在nvidia已经推出了新版bios，解决了这个问题。
英伟达下一代产品将搭载：sk hynix 海力士 gddr6 显存颗粒
爱果转
百家号01-2400:13
紧跟samsung（三星）脚步，在三星宣布gdrr6正式投入量产后，现在sk hynix（海力士）也开始行动，官方宣布已开始向oem厂商供货，相比三星的量产阶段，海力士这次是赶在了三星之前，据悉sk hynix gdrr6会率先出现在新一代英伟达volta新架构显卡中。
据了解，此次推出的颗粒共有四个版本，单颗容量均为8gb（256m×32），也就是1gb，工艺上采用108ball fcbga封装。编号“h56c8h24mjr-s2c”的有14gbps、12gbps两种速率规格，电压分别为1.35v、1.25v，编号“h56c8h24mjr-s0c”的则分为12gbps、10gbps，电压同样对应1.35v、1.25v。对比上周公布的三星18ghz 16gb gdrr6颗粒，海力士gdrr6容量和频率等规格均处于劣势，具体性能差距不得而知，可能英伟达会针对不同定位产品采用不同类型方案，总之一切谜底将会在3月前后揭晓。
三星今天宣布生产16gb gddr6显存颗粒
三星于今日宣布已开始批量生产16gb gddr6显存颗粒，该颗粒采用10nm工艺，比目前20nm工艺的8gb gddr5颗粒先进两代，而数据传输速度也高达72gbps/s，工作电压仅为1.35v，因此无论是性能还是节能方面都优秀于gddr5。
看来hbm2显存在下一代显卡上面依然不会普及，gddr6将作为主力显存应用于绝大部分显卡。毕竟目前显存性能或者说数据带宽已经不是显卡性能的瓶颈了，因此gddr6还是很理想的。
英伟达下一代有望享用：samsung 三星 量产 18ghz 16gb gddr6 显存颗粒
尽管hbm2堆叠显存优势明显，但传统显存颗粒的成本更低、更具性价比，因此下一代仍会用在主流显卡中。作为显存颗粒的供应商，samsung（三星）的每一代显存产品都牵动着整个业内。近日，三星官方宣布已开始量产18ghz 16gb gddr6显存，单颗粒容量为2gb，相比现有gdrr5容量翻倍，速度也翻倍，可为下一代显卡带来更大提升，能满足8k视频处理、vr、ar、人工智能等环境平台需要。
据了解，16gb gddr6采用新10nm级工艺（10nm-19nm），猜测可能是14nm，单芯片2gb容量是上一代20nm gddr5两倍，同时性能也提升了两倍，18ghz高等效频率，可提供72gb/s传输速率。另外，新一代gdrr6的电压也随之降低至1.35v，官方表示功耗会降低35%，至于发热量目前还不得而知。新一代gdrr6显存登场，哪家会先吃螃蟹呢？据heise.de消息报道，nvidia下一代volta“伏打”架构平台会率先用上，有望在gtc 2019上亮相（3月26日），所采用的就是gddr6显存。