新闻-原装正品霍尼韦尔csna111-009
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它是诞生-早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7v，锗管正向管压降为0.3v，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2v，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0v，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2v，正常发光时的额定电流约为20ma。二极管的电压与电流不是线，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。与pn结一样，二极管具有单向导电性。特性曲线（图）。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6v时，电流开始按指数规律增-，通常称此为二极管的开启电压；
当电压达到约0.7v时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号ud表示。对于锗二极管，开启电压为0.2v，导通电压ud约为0.3v。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流is。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增-，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号ubr表示。不同型号的二极管的击穿电压ubr值差别很-，从几十伏到几千伏。反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在-掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较-时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键，产生电子-空穴对，致使电流急剧增-，这种击穿称为齐纳击穿。
如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较-数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成pn结永久性损坏。二极管是-常用的电子元件之一，它--的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的，其原理都很简单，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生。
既然二极管的作用这么-那么我们应该如何去检测这个元件呢，其实很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的，反向电阻如果很-这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理以及基本电路，这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时。
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