深圳市骊微电子科技有限公司
尽管不同类型的psr电路有所不同，但其工作原理却大致相同，只是有些参数定义不一样，下面骊微电子以sd8583s为例进行介绍。
在cv模式下，大部分psr芯片直接取样辅助线圈上电压，由于漏感的原因，在mosfet管关断后，也就是次级二极管dr导通瞬间，会产生一个尖峰，影响电压采样，为了避开个这个尖峰，大部分芯片采用延时采样方式，也就是在mosfet管关断一段时间后再来采样线圈上的电压，从而避开漏感尖峰。
sd8583s是内置高压mos管功率开关的原边控制开关电源（psr），采用pfm调制技术，提供精确的恒压/恒流（cv/cc)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。
采用sd8583s设计系统，无需光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本。
sd8583s适用8-10w输出功率。内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。
骊微电子专注于各类芯片开发设计8年余，低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更完美的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，骊微电子团队将为您提供合理的建议。
尽管不同类型的psr电路有所不同，但其工作原理却大致相同，只是有些参数定义不一样，下面骊微电子以sd8583s为例进行介绍。
sd8583s产品特点：
内置高压mos管功率开关
原边控制模式
低启动电流
前沿消隐
逐周期限流
pfm调制
降峰值模式
过压保护
欠压锁定
环路开路保护
大导通时间保护
过温保护
线损电压补偿
峰值电流补偿
sd8583s广泛应用于：
充电器
适配器
待机电源
骊微电子代理的sd8583s适用8~10w输出功率，内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能，无需光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，同时骊微电子提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。
在cv模式下，大部分psr芯片直接取样辅助线圈上电压，由于漏感的原因，在mosfet管关断后，也就是次级二极管dr导通瞬间，会产生一个尖峰，影响电压采样，为了避开个这个尖峰，大部分芯片采用延时采样方式，也就是在mosfet管关断一段时间后再来采样线圈上的电压，从而避开漏感尖峰。
sd8583s内置高压mos管的原边控制开关电源产品描述：
骊微电子代理的sd8583s是内置高压mos管功率开关的原边控制开关电源（psr），采用pfm调制技术，提供精确的恒压/恒流（cv/cc）控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率，同时sd8583s采用设计系统，无需光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本，sd8583s适用8~10w输出功率，内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。
sd8583s产品特点：
内置高压mos管功率开关
原边控制模式
低启动电流
前沿消隐
逐周期限流
pfm调制
降峰值模式
过压保护
欠压锁定
环路开路保护
大导通时间保护
过温保护
线损电压补偿
峰值电流补偿
sd8583s广泛应用于：
充电器
适配器
待机电源
深圳市骊微电子科技有限公司专业集成电路ic生产设计销售，提供电源领域相关软硬件设计服务，提供方案设计、生产、客诉等一条龙技术服务，系统解决客户技术后顾之犹。公司产品主要用于电源管理ic、适配器ic 充电器ic，快速充电器ic 车载充电ic，led驱动ic，移动电源ic，磁场效益/mos 二极管，三极管以技术服务为基石，打造 高品质、高性价的整体电源方案供应商。