据业内人士称，三安光电目前正在中国中部建设一个mini/micro led研发基地，投资额为120亿元人民币（17亿美元）。
消息人士表示，三安将在该研发基地展开gan和gaas mini/micro led芯片以及4k显示器的研发。与此同时，三安还计划在该基地建立161万个gan mini/micro led芯片、750,000个gaas mini/micro led芯片以及84,000个4k显示器的年生产能力。gan业务部门年产能将包括720,000个蓝光mini led芯片、90,000个蓝光micro led芯片、720,000个绿光mini led芯片和80,000个绿光micro led芯片，而gaas业务部分年产能将包括660,000个红光mini led芯片和90,000个红光microled芯片。
然而，消息人士指出，三安光电目前尚未透露何时开始生产gan和gaas micro led芯片。
此外，三安光电已经与三星电子合作，共同开发mini/micro led技术。
而总部位于中国台湾的playnitride，则计划在2019年8月底开始试产多达3000片led外延片，而三星也已选择playnitride作为其micro led外延片的独家供应商。

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