aec-q200试验条件
说明：aec-q200的环境试验条件，主要是依据mil-std-202与jedec22a-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但是在高温工作寿命就需要，温度循环与温度冲击，其试验目的与手法不一样，在温度循环中高低温变化需控制温变率，温冲击则不用，偏高湿度就是俗称的高温高湿试验，而湿度抵抗就是湿冷冻试验
试验条件注意事项：1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测
高温储存(mil-std-202-108)：[适用设备：高低温试验箱]
薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：85℃/1000h
电感、变压器、电阻：125℃/1000h
变阻器：150℃/1000h
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：*大额定温度/1000h
高温工作寿命(mil-std-202-108)：[适用设备：高低温试验箱]
网络低通滤波器、网络电阻：85℃/1000h
emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定il
钽电容、陶瓷电容：*大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压
铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h
薄膜电容：1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压)
自恢复保险丝：125℃/1000h
电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压
可变电阻：125℃/1000h/额定功率
变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流
陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定vdd+1mω，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2x的晶体cl电容
石英震荡器：125℃/1000h/额定vdd+1mω，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2x的晶体cl电容
温度循环(jedec22a-104)：[适用设备：冷热冲击试验箱、ess快速温度变化试验箱]
薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/ramp(15℃/min)/1000cycles
钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /ramp(15℃/min)/1000cycles
铝电解电容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /ramp(15℃/min)/1000cycles
电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝：-40℃(30min)←→125℃(30min)/ramp(15℃/min)/1000cycles
网络低通滤波器、网络电阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /ramp(15℃/min)/1000cycles
温度冲击(mil-std-202-107)：[适用设备：温度循环箱、冷热冲击试验箱]
自恢复保险丝：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles
偏高湿度(mil-std-202-103)：[适用设备：高低温湿热试验箱]
钽电容、陶瓷电容：85℃/85%r.h./1000h/电压1.3～1.5v
电感&变压器：85℃/85%r.h./1000h/不通电
铝电解电容：85℃/85%r.h./1000h/额定电压
emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：85℃/85%r.h./1000h/额定电压＆电流
电阻、热敏电阻：85℃/85%r.h./1000h/工作电源10%
自恢复保险丝：85℃/85%r.h./1000h/额定电流10%
可变电容、可变电阻：85℃/85%r.h./1000h/额定功率10%
网络低通滤波器&网络电阻：85℃/85%r.h./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)]
变阻器：85℃/85%r.h./1000h/额定电压85％+ma电流
石英震荡器、陶瓷共鸣器：85℃/85%r.h./1000h/额定vdd+1mω，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2x的晶体cl电容
薄膜电容：40℃/93%r.h./1000h/额定电压
湿度抵抗(mil-std-202-106)：[适用设备：高低温湿热试验箱]
薄膜电容：(25℃←→65℃/90%r.h.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电
aec-q200专有名词整理：
简称
中文
英文
说明
8d
解决问题方法
aec
汽车电子设备协会
automotive electronic council
由车厂[克赖斯勒(chrysler)、福特(ford)、通用汽车(gm)]发起并创立于1994年，目前会员遍及全球各大汽车厂、汽车电子与半导体厂商。
aec-q001
零件平均测试指导原则
aec-q002
统计式良品率分析的指导原则
aec-q003
芯片产品的电性表现特性化的指导原则
aec-q005
无铅测试要求
aec-q100
基于集成电路应力测试认证的失效机理
规范了零件供货商所必须达成的产品质量与可靠度，试验条件多仍以jedec或mil-std为主，外加上其它独立建置的测试手法。
aec-q100-001
邦线切应力测试
aec-q100-002
人体模式静电放电测试
aec-q100-003
机械模式静电放电测试
aec-q100-004
集成电路闩锁效应测试
aec-q100-005
可写可擦除的记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试
aec-q100-006
热电效应引起的寄生闸极漏电流测试
aec-q100-007
故障仿真和测试等级
aec-q100-008
早期寿命失效率（elfr）
aec-q100-009
电分配评估
aec-q100-010
锡球剪切测试
aec-q100-011
带电器件模式的静电放电测试
aec-q100-012
12v系统灵敏功率设备的短路可靠性描述
aec-q101
汽车级半导体分立器件应力测试认证
aec-q200
无源器件应力测试标准
aec-q200-001
阻燃测试
aec-q200-002
人体模式静电放电测试
aec-q200-003
横梁负载、断裂强度
aec-q200-004
自恢复保险丝测量程序
aec-q200-005
板弯曲度测试
aec-q200-006
表面贴装后的剪切强度测试
aec-q200-007
电涌测试