对于ddr3的布局我们首先需要确认芯片是否支持fly-by走线拓扑结构,来确定我们是使用t拓扑结构还是fly-by拓扑结构.         
常规我们ddr3的布局满足以下基本设计要求即可:                                                  
考虑bga可维修性:bga周边器件5mm禁布,最小3mm。
dfm 可靠性:按照相关的工艺要求,布局时器件与器件间满足dfm的间距要求;且考虑元件摆放的美观性。
绝对等长是否满足要求,相对长度是否容易实现:布局时需要确认长度限制,及时序要求,留有足够的绕等长空间。
滤波电容、上拉电阻的位置等:滤波电容靠近各个pin放置,储能电容均匀放置在芯片周边(在电源平面路径上);上拉电阻按要求放置(布线长度小于500mil)。  
注意:如有提供demo板或是芯片手册,请按照demo板或是芯片手册的要求来做。 
滤波电容的布局要求
电源设计是pcb设计的核心部分,电源是否稳定,纹波是否达到要求,都关系到cpu系统是否能正常工作。滤波电容的布局是电源的重要部分,遵循以下原则:  
cpu端和ddr3颗粒端,每个引脚对应一个滤波电容,滤波电容尽可能靠近引脚放置。
线短而粗,回路尽量短;cpu和颗粒周边均匀摆放一些储能电容,ddr3颗粒每片至少有一个储能电容。
图1:vdd电容的布局(ddr颗粒单面放)
如图2所示:vdd电容的布局(ddr颗粒正反贴)
ddr 正反贴的情况,电容离bga 1mm,就近打孔;如可以跟pin就近连接就连接在一起。
vref电路布局  
在ddr3中,vref分成两部分:   
一个是为命令与地址信号服务的vrefca;另一个是为数据总线服务的vrefdq。       
在布局时,vrefca、vrefdq的滤波电容及分压电阻要分别靠近芯片的电源引脚,如图3所示。                                                                                                            
图3:vref电路布局 
匹配电阻的布局
为了提高信号质量,地址、控制信号一般要求在源端或终端增加匹配电阻;数据可以通过调节odt 来实现,所以一般建议不用加电阻。                                                              
布局时要注意电阻的摆放,到电阻端的走线长度对信号质量有影响。
布局原则如下:
对于源端匹配电阻靠近cpu(驱动)放,而对于并联端接则靠近负载端(fly-by靠近最后一个ddr3颗粒的位置放置而t拓扑结构是靠近最大t点放置)
下图是源端匹配电阻布局示意图; 
图4:源端匹配电阻
图4:并联端接 
而对于终端vtt上拉电阻要放置在相应网络的末端,即靠近最后一个ddr3颗粒的位置放置(t拓扑结构是靠近最大t点放置);注意vtt上拉电阻到ddr3颗粒的走线越短越好;走线长度小于500mil;每个vtt上拉电阻对应放置一个vtt的滤波电容(最多两个电阻共用一个电容);vtt电源一般直接在元件面同层铺铜来完成连接,所以放置滤波电容时需要兼顾两方面,一方面要保证有一定的电源通道,另一方面滤波电容不能离上拉电阻太远,以免影响滤波效果。 
图5:vtt滤波电容
ddr3的布局基本没有什么难点,只是要注意诸多细节之处,相信大家都已经学会。

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