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晶体管促进并带来了"固态"，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨-的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及-规模集成电路应运而生，这样制造像-速电子计算机之类的-精密装置就变成了现实。晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有npn和pnp两种结构形式，但使用-多的是硅npn和锗pnp两种三极管，(其中，n是负极的意思(代表英文中negative)，n型半导体在-纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是正极的意思(itive)是加入硼取代硅，产生-量空穴利于导电)。
两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍npn硅管的电流放-原理。对于npn管，它是由2块n型半导体中间夹着一块p型半导体所组成，发射区与基区之间形成的pn结称为发射结,而集电区与基区形成的pn结称为集电结,三条引线分别称为发射极e(emitter)、基极b(base)和集电极c(collector)。当b点电位-于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而c点电位-于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源ec要-于基极电源eb。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度-于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散。
但因前者的浓度基-于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子-部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流ic，只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源eb重新补给，这就是说，在基极补充一个很小的ib，就可以在集电极上得到一个较-的ic，这就是所谓电流放-作用，ic与ib是维持一定的比例关系，式中:β1--称为直流放-倍数，式中β--称为交流电流放-倍数，由于低频时β1和β的数值相差不-，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。式中:α1也称为直流放-倍数，一般在共基极组态放-电路中使用。
描述了射极电流与集电极电流的关系。表达式中的α为交流共基极电流放-倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不-。三极管的电流放-作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨-变化。三极管是一种电流放-器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放-作用转变为电压放-作用。电源ub经过电阻rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下。
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