如果mosfet开关频率fs小于fr1，功率器件上的电流的形状会改变。事实上，如果持续时间足以在输出二极管上产生不连续的电流，则原边电流形状会偏离正弦波形。
图5：fs ＜fr1时的llc转换器的典型波形
此外，如果mosfet的寄生输出电容c1和c2与cr的容值相当，则谐振频率fr也会受到器件的影响。正是由于这个原因，在设计过程中，选择cr值大于c1和c2，可以解决这个问题，使fr值不受所用器件的影响。
3．续流和zvs条件
分析一下谐振频率的方程式就会发现，在高于峰值增益频率时，谐振网络的输入阻抗是感抗，谐振网络的输入电流（ip）滞后于谐振网络的输入电压（vd）。在低于峰值增益频率时，谐振网络的输入阻抗变为容抗，并且ip领先vd。在电容区工作时，体二极管在mosfet开关期间执行反向恢复操作。
当系统在电容区工作时，mosfet会面临极大的潜在失效风险。事实上，如图6中的绿色圆圈所示，寄生体二极管的反向恢复时间变得非常重要。
图6
根据这一点，在负载由低变高的过程中（图7），驱动电路应强制mosfet进入zvs和正关断电流区。如果无法保证，mosfet的工作区可能很危险。
图7
在低负载稳态条件下，系统工作在频率较低的谐振频率fr2附近，然后zvs导通，并保证正关断漏极电流。在负载变化（从低到高）后，开关频率应该变成新的谐振频率。如果没有发生这种情况（如图8中绿线所示），则系统状态经过区域3（zcs区域）和zvs导通，正关断漏极电流不会出现。因此，当mosfet关断时，电流也会流过寄生体二极管。
在增益图上分析一下负载从低变高的过程，我们不难发现：
图8
黑虚线代表负载变化期间的理想路径，而绿虚线表示实际路径。在负载从低变高的过程中，可以看到系统经过zcs区域，因此，寄生体二极管的性能变得非常重要。出于这个原因，新llc设计的趋势是使用体二极管恢复时间非常短的功率器件。

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