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英伟达下一代产品将搭载：sk hynix 海力士 gddr6 显存颗粒
爱果转
百家号01-2400:13
紧跟samsung（三星）脚步，在三星宣布gdrr6正式投入量产后，现在sk hynix（海力士）也开始行动，官方宣布已开始向oem厂商供货，相比三星的量产阶段，海力士这次是赶在了三星之前，据悉sk hynix gdrr6会率先出现在新一代英伟达volta新架构显卡中。
据了解，此次推出的颗粒共有四个版本，单颗容量均为8gb（256m×32），也就是1gb，工艺上采用108ball fcbga封装。编号“h56c8h24mjr-s2c”的有14gbps、12gbps两种速率规格，电压分别为1.35v、1.25v，编号“h56c8h24mjr-s0c”的则分为12gbps、10gbps，电压同样对应1.35v、1.25v。对比上周公布的三星18ghz 16gb gdrr6颗粒，海力士gdrr6容量和频率等规格均处于劣势，具体性能差距不得而知，可能英伟达会针对不同定位产品采用不同类型方案，总之一切谜底将会在3月前后揭晓。
三星今天宣布生产16gb gddr6显存颗粒
三星于今日宣布已开始批量生产16gb gddr6显存颗粒，该颗粒采用10nm工艺，比目前20nm工艺的8gb gddr5颗粒先进两代，而数据传输速度也高达72gbps/s，工作电压仅为1.35v，因此无论是性能还是节能方面都优秀于gddr5。
看来hbm2显存在下一代显卡上面依然不会普及，gddr6将作为主力显存应用于绝大部分显卡。毕竟目前显存性能或者说数据带宽已经不是显卡性能的瓶颈了，因此gddr6还是很理想的。
显存颗粒
显存颗粒是显存的物理存储组成单元。显存颗粒的类型(ddr3或ddr4)，单颗容量(mb)，单颗位宽(bit)，理论显存频率(mhz)直接影响显卡的性能。
参数关系可以简单的这样理解：
打个比方，火车由好多节独立的车厢组成，而每节车厢都有自己的定员（单颗容量），车厢都有自己的属性，比如它支持的极限速度（显存频率），在很多车厢组合在一起的时候，整列火车的极限速度就取决与小的速度，而所能搭载的乘客就是所有车厢定员的总和。
三星/sk海力士筹划2018年增产dram颗粒
三星/sk海力士筹划2018年增产dram颗粒
【it168 资讯】虽然双11期间，国内内存价格往复波动，特别是市场操盘一流的金士顿，但从源头供应来看，如果不是很急的刚需，建议一定忍住。继三星计划在2018年对dram进行扩产之后，sk海力士和美光也松口了。
据digitimes报道，sk海力士将在无锡兴建第二座晶圆厂，投资86亿美元，时间是2018年。该厂的产能为20万片/月，采用1xnm工艺。目前sk海力士无锡一厂（2006年开始运行）的产能是13万片，已经占到了集团dram的半壁江山。
同时，digitimes也进一步披露了三星的产能扩张计划，月增8万到10万片，总产能从当下的39万片提高到多50万。
报道称，4gb ddr4 pc内存模组的协议价已经从去年q2的13美元飙升到预计年底30.5美元，6个季度增长了160%。三星、sk海力士都希望能在新的波浪式周期中掌握主动权，并且拉低价格遏制对手的入局，比如国产dram。
镁光小d9颗粒 创见1gb ddr2-800到货
cnet中国·zol 作者：中关村在线 醉龙殇 【原创】 2006年10月05日 06:29 评论(8)
创见作为全球知名内存企业，在高端产品研发方面拥有雄厚的实力。目前其已面向市场推出1gb ddr2-800内存，报价为1100元，采用镁光颗粒，品质更有保障，有需要的高端用户及发烧玩家不妨参考选购。
接下来就让我们共同看一下产品的外观。
镁光小d9颗粒 创见1gb ddr2-800到货
【图】创见1gb ddr2-800内存正面外观
创见1gb ddr2-800内存采用双面16内存颗粒规格设计，整体做工严谨扎实，pcb采用短线程布线设计，简洁明了，有效减少了信号的延迟及引线间的信号干扰，确保了数据传输的安全性。空余pcb表面为大面积覆铜遮盖，很好的保证了产品的电气性能及抗电子干扰能力。优选微型贴片电容和高品质8pin电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，用料充足。左侧粘贴了荧光粉防伪标签，右侧则粘贴了规格标签。
镁光小d9颗粒 创见1gb ddr2-800到货
【图】创见1gb ddr2-800内存背面外观
创见1gb ddr2-800内存背面采用效果好的“b”类覆铜效果设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
镁光小d9颗粒 创见1gb ddr2-800到货
【图】创见1gb ddr2-800内存规格标签
创见1gb ddr2-800内存容量为1gb，工作频率为ddr2-800（等效于pc2-6400），产品编号为145418-0012。工作电压为1.8v，默认时序参数为5-5-5-12，针脚数为240pin，采用ddr2-dimm接口规范。
镁光小d9颗粒 创见1gb ddr2-800到货
【图】创见1gb ddr2-800内存颗粒特写
创见1gb ddr2-800内存采用镁光内存颗粒，采用fbga封装模式，使用新的65纳米制造工艺。编号为d9gkx，工作响应时间为2.9ns。
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【图】创见1gb ddr2-800内存pcb特写
镁光小d9颗粒 创见1gb ddr2-800到货
【图】创见1gb ddr2-800内存金手指
创见1gb ddr2-800内存金手指采用技术较为成熟的化学镀金制造工艺，pcb边缘切割整齐。
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提升性能容量：镁光发布单颗12-gb的lpddr4x移动内存颗粒
随着智能手机和平板电脑市场的日渐兴盛，消费者对于设备存储容量和性能的需求也水涨船高。尽管容量不一定是衡量性能的一的标准，但在5g到来之后，应用程序和网络连接将对内存子系统提出越来越高的要求。实际上，即便在当下，成像子系统和人工智能等工作负载，也需要高性能存储架构的鼎力支持。有鉴于此，镁光宣布了首款面向移动设备的单片12gb（1.5gb）lpddr4x动态随机存储器芯片。
镁光表示，为提升效率和降低能耗，该12-gblpddr4x内存颗粒将采用10-nm工艺生产。
与上一代产品相比，其速率可达4266mb/s，功耗还降低了10%。此外，芯片密度允许手机等移动设备，实现更高的总存储容量。
这款lpddr4x内存新品已经上市，感兴趣的移动设备设计师可以与镁光联系采购。