薄膜电阻的应用：
　 薄膜电阻的应用广泛，对于任意面积远大于厚度的情形，比如薄膜物理或者半导体产业中，常有纳米厚度的薄膜被沉积到晶片上，如果关心这些薄膜的电阻阻值大小时，就需使用薄膜电阻这概念。例如，在发光二管的制造中，二管pn结上作为电而沉积的金属的阻值很大程度影响了发光二管的发光效率，因此需要小化金属半导体的79483md，利用前面提到的四探针测量法以及传输线模型（transmission line model）测量法，即可确定79483md的大小和金属下方半导体层的薄膜电阻阻值。
薄膜电阻器是用蒸发的方法将定电阻率材料蒸镀于缘材料表面制成,具有均匀厚度薄膜电阻的量度。通常被用作评估半导体掺杂的结果。这种工艺的例子有：参杂半导体领域（比如硅或者多晶硅），以及被丝网印刷到薄膜混合微电路基底上的电阻。
薄膜电阻和厚膜电阻的区别是：
其是膜厚的区别，厚膜电路的膜厚般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；
其二是制造工艺的区别，厚膜电路般采用丝网印刷工艺，薄膜电路采用的是空蒸发、磁控溅射等工艺方法。
电材料分类
目前，制作电阻薄膜的材料有许多，包括纯金属、金属合金、金属化合物或金属陶瓷(陶瓷和金属的组合)等，但单片模拟集成电路和薄膜混合电路中广泛使用的材料有三种:镍铬、铬硅和铬硅氧化物金属陶瓷，其中镍铬属于低阻类材料，而铬硅和铬氧化硅属于高阻类材料。按照组成材料的不同，常用薄膜类电阻材料分为三种，镍铬、铬硅和铬氧化硅
组织结构：
般来讲，电阻薄膜中多含有三类相位成分：缘相、半导体相和导电相。在现代的电阻薄膜中，这些相常呈微细分布，有的甚至是成分子线度分布的，这是因为粗分散结构会使薄膜性能不佳。
按照导电相或半导体相在电阻薄膜中的微细分布来说，这类薄膜的结构可能有三种：岛状结构、网状结构和连续结构。所谓岛状结构，是指导电微粒成孤岛状细分散于薄膜内，因而各微粒均被缘相所包围。网状结构是导电微粒已经互相连接成导电网络，在网络孔眼内是缘相。连续结构是导电微粒已经紧密堆积成连续薄膜，其中已很少含有缘相。在岛状结构中，小岛线度和岛间距离都是随机分布的，随着薄膜厚度的增加，小岛线度变大，岛间距离变小。具有岛状结构的电阻薄膜有很薄（厚度小于20nm）的金属薄膜和缘相很多（体积分数大于50%）的金属陶瓷薄膜。对于后类薄膜，随着缘相所占比例的增多，导电小岛变小，岛间距离增大。在网状结构中，导电微粒相互连接成复杂的三维导电网络。网络的导电链密度及粗细都随着导电相所占比例的上升而增加。在连续结构中，虽然导电粒子紧密堆积，但是难免含有微量气隙（缘相）。薄膜的质量密度小于相应的块状材料就是含有气隙的例证之。除了气隙以外，在薄膜的某些微区还可能含有固体缘相。因此薄膜的实际导电厚度常小于它的几何厚度。
综上所述，实际制备的电阻薄膜通常是含有导电相、半导体相和缘相的混合物薄膜。此外，各相也不定是单的物质。
另外，连续结构的电阻薄膜还常是各层成分不完相同的多层复合薄膜，这是由于在制膜过程中及以后的热处理中，周围气氛中有关气体浓度的变化、基片－薄膜界面处的物理扩散和化学反应、薄膜表面层中的扩散和反应，还有特意安排的制造多层复合薄膜的工艺。现在常见的层状复合电阻薄膜多为三层结构，底层（界面层）为使薄膜与基片匹配，并强化其附着，中层是电阻薄膜主体层，上层（表面层）为防潮、耐热等保护层。除了这些目的以外，有时还为了调整或改善薄膜的电性能，也采用层状结构。例如，为了降低电阻率温度系数的值，可使电阻薄膜的下层电阻率 ρ大，tcr 为负值，而使上层的电阻率ρ 小，tcr 为正值。需要指出，在电阻薄膜的各层之间常常是没有突变的界面，而是渐变的界面。层状结构的薄膜是在制膜过程及其后工序的热处理中，由控制工艺而形成的，而不是各层单制造的。在薄膜的组织结构中，还有导电晶粒是否择优取向的问题。若是导电晶粒在电阻率上是各向异性的，显然晶粒择优取向的薄膜在长期稳定性上优于晶粒无取向的薄膜。
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